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기판상에, 제1 반도체 합성물층, 반도체 양자 구조층, 제 2 반도체 합성물층 및 반도체 양자점층을 순차적으로 형성하는 단계; 및상기 반도체 양자점층의 양자점이 응집되도록, 상기 반도체 양자점층을 열처리하는 단계;상기 응집된 양자점을 마스크로 이용하여 식각하는 단계를 포함하되,상기 응집된 양자점을 마스크로 이용하여 식각하는 단계는, 식각 후 상기 제1 반도체 합성물층과 상기 제 2 반도체 합성물층이, 상기 응집된 반도체 양자점층의 양자점의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 양자 구조층은,양자점, 양자선, 양자우물, 양자 대쉬(dash) 및 양자 분자(molecule) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 양자 구조층 및 상기 반도체 양자점층의 양자점은 동일한 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체 합성물층, 상기 반도체 양자 구조층, 상기 제 2 반도체 합성물층 및 상기 반도체 양자점층은, 동일한 식각률을 가지는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 양자 구조층의 양자점 또는 상기 반도체 양자점층의 양자점은, 액적 성장(Droplet Epitaxy) 방식에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 양자점층을 열처리 하는 단계는,500 °C 내지 1200 °C 온도에서, 30초 내지 10분간 급속 열처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제6항에 있어서,상기 반도체 양자점층을 열처리하는 단계는,불순물이 첨가되지 않은(undoped) SI(Semi Insulating)-GaAs 기판으로 시료의 상하 양면을 차단하는 단계; 및질소 가스 분위기에서, 750 °C 에서 4분간 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제3항에 있어서,상기 반도체 양자 구조층 및 상기 반도체 양자점층의 양자점은, GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1 반도체 합성물층 및 상기 제 2 반도체 합성물층은,AlGaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제9항에 있어서,상기 GaAs 양자점은 액적 성장(Droplet Epitaxy) 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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