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탄소나노물질과 나노크기의 금속산화물이 조합된 전기화학캐패시터용 전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123517
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노물질과 나노크기의 금속산화물이 조합된 전기화학 캐패시터용 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 집전체 표면을 수소와 탄화수소의 혼합기체와 접촉시켜 집전체 위에 탄소나노물질을 화학증착시키고, 이 탄소나노물질에 나노크기의 금속산화물을 분산 담지시키는, 본 발명의 방법에 의하면, 낮은 저항 및 높은 캐패시턴스 값을 갖는 전기화학 캐패시터용 전극을 제조할 수 있다.
Int. CL H01G 11/86 (2013.01) H01G 11/36 (2013.01) C01B 31/02 (2013.01)
CPC
출원번호/일자 1020030082025 (2003.11.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0599874-0000 (2006.07.05)
공개번호/일자 10-2005-0048172 (2005.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20060713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주오심 대한민국 서울특별시노원구
2 정광덕 대한민국 서울특별시서초구
3 이재경 대한민국 경기도의정부시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2003-0435583-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.21 수리 (Accepted) 9-1-2005-0046374-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0406695-23
5 의견서
Written Opinion		 2005.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0596208-21
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0100731-26
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0211628-55
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0299557-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
1) 집전체 표면을 수소와 탄화수소의 혼합기체와 접촉시켜 집전체 위에 탄소나노물질을 화학증착시키고, 2) 집전체 위에 화학증착된 탄소나노물질에 금속산화물 전구체의 용액을 함침시킨 다음 열처리하여 탄소나노물질에 나노크기의 금속산화물을 분산 담지시키는 것을 포함하는, 전기화학 캐패시터용 전극의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 단계 1)의 화학증착이 400 내지 1200℃의 온도 범위에서 수행됨을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 수소와 탄화수소의 혼합기체가 수소 및 탄화수소를 1 : 0
4 4
제 1 항에 있어서, 화학증착된 탄소나노물질이 탄소나노튜브(carbon nanotube), 탄소나노섬유(carbon nanofiber) 또는 무정형 탄소임을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 단계 1)에서 집전체 표면을 수소와 탄화수소의 혼합기체와 접촉시키기에 앞서, 집전체 표면에 금속염 수용액을 분무하고 건조한 후 500 내지 1200℃에서 열처리하여 금속산화물을 형성한 다음 이를 환원시켜, 집전체 표면에 금속을 추가로 담지시키는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 금속염이 Ni, Co, Fe 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 금속의 염인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 단계 2)에서 사용하는 금속산화물 전구체가 루테늄(Ru)염, 코발트(Co)염, 망간(Mn)염, 이리듐(Ir)염, 납(Pb)염, 티타늄(Ti)염 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 금속염인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 단계 2)의 열처리가 100 내지 1000℃의 온도 범위에서 수행됨을 특징으로 하는 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 단계 2)에서, 탄소나노물질에 나노크기의 금속산화물을 탄소물질 중량의 10 내지 500%의 양으로 분산 담지시키는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
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11 10
삭제
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1 WO2005050682 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 AU2003285806 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU2003285806 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 WO2005050682 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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