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입자크기가큰다결정규소박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015123579
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 기판상에 비정질 규소 박막을 증착시킨 후, 이를 특정 압력 하에 저온에서 열처리하여 고상 결정화시키는 것으로 이루어진 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막을 제조하는 방법이 기재되어 있다. 본 발명의 방법은 결정 성장 온도를 크게 낮춤으로써 값비싼 석영 대신 값싼 유리 등의 기판을 사용하고, 고가의 Si2H6가스 대신 SiH4가스를 사용함으로써 다결정 규소 박막의 생산 단가를 크게 낮출 수 있을 뿐 만 아니라, 입자 크기가 150μ이상인 다결정 규소 박막을 제공함으로써 다결정 규소 박막의 전자 및 정공의 이동도를 단결정 수준으로 향상시켜 현재 어려움을 겪고 있는 LCD용 TFT나 SRAM용 TFT등의 고성능 SOI소자 개발을 획기적으로 진전시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01)
출원번호/일자 1019930017870 (1993.09.07)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0119036-0000 (1997.07.28)
공개번호/일자 10-1995-0009904 (1995.04.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970006723 (19970429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.09.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임호빈 대한민국 대전직할시유성구
2 안병태 대한민국 서울특별시강남구
3 문대규 대한민국 서울특별시동대문구
4 이정노 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.09.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0093772-13
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.09.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0093773-58
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.09.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0093774-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038083-22
5 의견서
Written Opinion		 1996.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0093775-49
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0093776-95
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1997.02.25 수리 (Accepted) 1-1-1993-0093777-30
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038084-78
9 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038085-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판상에 비정질 규소 박막을 PECVD, LPCVD 등의 공지 방법으로 증착시킨 후, 10-9 내지 103 토르의 압력 범위하에 300 내지 600℃의 온도 범위에서 열처리함으로써 고상 결정화시키는 것을 특징으로 하는 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판이 유리판, 석영판, Si 웨이퍼, 또는 비정질(SiO2, 질화 규소, 실리콘 옥시-니트라이드, 산화 탄탈)이 입혀진 유리판, 석영판 또는 Si 웨이퍼인 것인 다결정 규소 박막의 제조 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 규소 박막의 증착시에 SiH4, 또는 이 기체를 Ar, He, H2 또는 N2 가스로 희석시킨 것을 원료 기체로 사용하는 것인 다결정 규소 박막의 제조 방법

4 4

제1항에 있어서, 증착된 규소 박막이 10-2 토르의 압력에서 N2 또는 Ar 기체 분위기 하에 500℃에서 열처리하여 고상 결정화되는 것인 다결정 규소 박막의 제조 방법

5 5

제1항 기재의 방법에 따라 제조한, 입자 크기가 150㎛ 이상인 다결정 규소 박막

6 6

제5항에 있어서, 상기 다결정 규소 박막이 SOI, TFT, 태양 전지 등의 제조에 사용되는 것인 다결정 규소 박막

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