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나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법에 있어서,
레이저 간섭 리소그라피 공정을 이용하되, 시료홀더의 회전각(δ) 및 노광시간을 변경함에 따라 주기와 골(또는 마루)의 폭 변경이 가능한 주기적인 포토레지스트 미세패턴을 제조하는 단계;
상기 주기적인 포토레지스트 미세패턴의 골이나 마루에 자기조립 공정으로 나노물질이 흡착되어 주기적인 나노선 패턴이 제작되는 단계; 및
상기 주기적인 나노선 패턴을 이용하여 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,
상기 레이저 간섭 리소그라피 공정은 레이저 빔이 가간섭성이 되도록 핀홀을 통과하면서 확장되고 공간적으로 여과되는 단계;
상기 가간섭성 레이저 빔이 콜리메이터에 의해 평행광이 되는 단계;
상기 가간섭성 레이저 빔이 서로 수직인 로이드 미러와 시료홀더를 향해 정렬되는 단계; 및
상기 정렬된 가간섭성 레이저 빔이 포토레지스트가 코팅된 기판 위에 간섭광 세기의 주기적인 선 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 주기적인 포토레지스트 미세패턴을 제조하는 단계에서 포토레지스트 박막의 두께를 500~1000로 만들기 위해 포토레지스트의 양보다 상대적으로 많은 양의 시너(Thinner)를 혼합하여 기판 위에 스핀 코팅하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 주기적인 포토레지스트 미세패턴을 제조하는 단계에서 노광되는 레이저 광출력이 0
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청구항 4에 있어서,
상기 레이저 간섭 리소그라피 공정을 통해 나노선 배열을 0
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청구항 2에 있어서,
상기 주기적인 포토레지스트 미세패턴을 제조하는 단계에서는 식 에 의해 시료홀더의 회전각(δ)에 따라 나노선 배열의 주기(d)를 조절하고, 상기 λ는 레이저 빔의 파장인 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
포토레지스트 패턴의 나노선 배열이 제조되는 기판은 반도체, 유리, 산화막 박막, 유전체 박막 및 금속박막 중 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 7에 있어서,
상기 포토레지스트 패턴의 나노선 배열은 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 기판에 식각되는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,
상기 자기조립 공정으로 나노물질이 흡착되어 주기적인 나노선 패턴이 제작되는 단계는
상기 레이저 간섭 리소그라피로 제조된 나노선 배열을 갖는 시료에서 포토레지스트가 없는 영역에 OTS가 증착되는 단계;
상기 시료에 남아 있는 포토레지스트를 제거하는 단계; 및
상기 포토레지스트가 제거된 영역에 작용기가 없는 나노물질을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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10
청구항 1에 있어서,
상기 자기조립 공정으로 나노물질이 흡착되어 주기적인 나노선 패턴이 제작되는 단계는
상기 레이저 간섭 리소그라피로 제조된 나노선 배열을 갖는 시료에서 포토레지스트가 없는 영역에 OTS가 증착되는 단계;
상기 시료에 남아 있는 포토레지스트를 제거하는 단계;
상기 포토레지스트가 제거된 영역에 APTES를 증착하는 단계; 및
상기 APTES 패턴 위에 음의 작용기가 있는 나노물질을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
상기 자기조립 공정으로 나노물질이 흡착되어 주기적인 나노선 패턴이 제작되는 단계는 기판 위에 포토레지스트를 식각 마스크로 사용하여 식각된 나노선 배열에 나노물질이 조립되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
단위채널 당 하나의 나노물질만이 정렬되도록 나노선의 폭을 조절하여 나노선 배열을 제조하는 단계; 및
상기 제조된 나노선 배열에 나노물질을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,
상기 주기적인 나노선 패턴을 이용하여 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자를 제조하는 단계는
폭방향으로 단위채널 당 하나씩의 나노물질이 정렬된 나노선 배열 위에 포토리소그라피를 이용하여 소스와 드레인 전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 전극 패턴에 Ti/Au를 증착한 후 리프트 오프 방법으로 드레인 전극과 소스 전극을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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