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양자구조 형성방법

  • 기술번호 : KST2015123883
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 양자구조 형성방법은 건식식각을 사용하여 기판에 손상을 주어 광전소자의 특성을 저하시키거나, 원하는 분포 및 위치의 조절이 용이하지 않아 광전소자의 광범위한 응용이 불가능한 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판의 상부에 갈륨산화막을 증착하는 마스크 증착단계와; 상기 갈륨산화막의 상부에 피엠엠에이를 도포 및 현상하여 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 피엠엠에이를 식각마스크로 사용하는 습식식각으로 그 하부의 갈륨산화막을 패터닝하는 마스크 패턴 형성단계와; 상기 패턴이 형성된 피엠엠에이를 제거하고, 상기 패턴이 형성된 갈륨산화막의 사이에 노출된 갈륨비소기판에 양자구조를 성장시키는 양자구조 성장단계로 구성되어 특정한 패턴이 형성된 갈륨산화막을 성장마스크로 사용하여 양자구조가 형성될 위치와 크기를 제한하여, 양자구조의 크기 및 분포를 용이하게 조절할 수 있게 됨으로써, 광전소자로의 응용분야를 확대시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자 1019980037585 (1998.09.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0267261-0000 (2000.07.03)
공개번호/일자 10-2000-0019472 (2000.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.09.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용주 대한민국 서울특별시 강북구
2 김은규 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0113809-56
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0113808-11
3 특허출원서
Patent Application		 1998.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0113807-65
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 등록사정서
Decision to grant		 2000.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0128936-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소기판의 상부에 갈륨산화막(Ga2O3)을 증착하는 마스크 증착단계와; 상기 갈륨산화막의 상부에 피엠엠에이(PMMA, PolyMethylMethAcrylate)를 도포 및 현상하여 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 피엠엠에이를 식각마스크로 사용하는 습식식각으로 그 하부의 갈륨산화막을 패터닝하는 마스크 패턴 형성단계와; 상기 패턴이 형성된 피엠엠에이를 제거하고, 상기 패턴이 형성된 갈륨산화막의 사이에 노출된 갈륨비소기판에 양자구조를 선택적으로 성장시키는 양자구조 성장단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 갈륨산화막은 스퍼터링법, 양극산화법, 전자선 증착법중 하나의 방법으로 30~70nm의 두께가 되도록 증착하는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법

3 3

제 1항에 있어서, 갈륨산화막의 패터닝은 전자선 리소그라피법 또는 레이저 홀로그라픽 리소그라피법을 사용하여 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법

4 4

제 1항에 있어서, 양자구조 성장단계는 기판온도를 430~540℃로 유지하며, 빔상당압력(beam equivalent pressure)이 3족원소 대 5족원소의 비를 약 10~20으로 하고, 약 1×10-5torr인 비소 속(flux)하에서 실시하는 분자선 에피탁시법에 의해 양자구조를 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법

5 5

제 1항에 있어서, 상기 양자구조 성장단계는 분자선 에피탁시법 또는 화학선 에피탁시법 또는 유기금속화학기상증착법으로 양자구조를 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법

6 6

제 1항에 있어서, 상기 양자구조 성장단계로 양자구조가 형성된 후, 패턴이 형성된 갈륨산화막을 계속 잔존시켜, 광전소자의 제조시 전류차단층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.