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플럭스 증대를 통한 고품질 박막증착방법

  • 기술번호 : KST2015124710
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 플럭스 증대를 통한 고품질 박막증착방법은, 기판거치용장치와 타게트(target)에 바이어스(bias)를 인가한 상태에서 타게트를 세슘입자로 도포함으로써 증착활성입자에 대한 이온화의 활성화와 플럭스 증가를 통해 기판(Substrate) 상부를 증착시키는 박막증착방법(공정)에 관한 것이다.본 발명은 기판거치장치와 타게트(target)를 포함하고 자체 이면에 레저버가 설치되어 있는 증착 챔버(chamber)에서의 증착공정에 있어서, 기판거치장치 및 타게트에 소정 바이어스를 인가한 상태에서 레저버의 온도를 일정하게 조절하며, 기판과 타게트 중간에 세슘과 활성보조물질을 일정량 공급하여 분사시키므로써 타게트의 외부를 도포시키고 활성보조물질의 이온화 증대를 유도하여, 플럭스(flux) 증대에 따른 플라즈마의 밀도를 높여 증착시키는 것을 핵심으로 한다.따라서 본 발명은 세슘(Cs)의 특성을 반도체의 증착과정에 적용함으로써 반도체 증착공정에서의 플라즈마 밀도 및 플럭스를 증대시켜, 이동도(mobility) 특성이 좋은 반도체소자 및 기타 박막 증착과 관련된 기반기술로 이용할 수 있는 효과가 있다.반도체, 챔버(chamber), 증착(deposition), 세슘(Cs)
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC C23C 14/3407(2013.01) C23C 14/3407(2013.01)
출원번호/일자 1020020047133 (2002.08.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0013977 (2004.02.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.12)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백홍구 대한민국 서울특별시 강남구
2 구원회 대한민국 경기도남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2002-0257919-54
2 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2005.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0352970-38
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0000356-48
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0507452-60
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0607226-52
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0051577-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0051655-83
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0051654-37
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0232566-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1

기판거치장치와 타게트(target)를 포함하고 자체 이면에 레저버가 설치되어 있는 증착 챔버(chamber)에서의 증착공정에 있어서,

상기 기판거치장치 및 타게트에 소정 바이어스를 인가한 상태로 상기 레저버의 온도를 일정하게 조절하며, 상기 기판과 타게트 중간에 세슘과 활성보조물질을 일정량 공급하여 분사시키므로써 상기 타게트의 외부를 도포시키고 활성보조물질의 이온화 증대를 유도하여, 플럭스(flux) 증대에 따른 플라즈마의 밀도를 높여 증착하는 것을 특징으로 하는, 플럭스 증대를 통한 고품질 박막증착방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 활성보조물질은

질소(N2) 및 불활성계열 물질 중의 하나인 것을 특징으로 하는, 플럭스 증대를 통한 고품질 박막증착방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 기판과 타게트 사이의 플럭스 및 플라즈마를 효과적으로 증대시킬 수 있도록, 80∼150℃ 정도의 온도를 유지되도록 작동시키는 것을 특징으로 하는, 플럭스 증대를 통한 고품질 박막증착방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.