맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화물 반도체 박막 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015125143
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO 100몰과, Ga2O3 10 ~ 130몰과, In2O3 10 ~ 150몰로 구성되는 비정질 반도체 산화물 박막으로서, 상기 산화물 박막은 Zn, Ga 및 In 을 포함하는 전구체 용액을 열처리하여 얻어진 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막을 제공한다. 상기 박막은 금속 질화물 또는 금속 아세테이트 형태의 무기염 전구체로서, 각각 Zn, Ga, In을 포함하는 제1물질, 제2물질, 제3물질과, 전체 용액 100 몰 기준으로 90 ~ 99 몰의 용매를 포함하며, Zn을 포함하는 제1물질 100몰에 대하여, Ga을 포함하는 제2물질은 10 ~ 130 몰, In을 포함하는 제3물질은 10 ~ 150 몰을 함유하는 전구체 용액을 대상 기판에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅 등의 용액 공정에 의하여 형성할 수 있다. 비정질, 산화물, 용액 공정
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020080028145 (2008.03.27)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0960808-0000 (2010.05.23)
공개번호/일자 10-2009-0102899 (2009.10.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.27)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 문주호 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김동조 대한민국 경기 수원시 장안구
3 구창영 대한민국 경기도 군포시 산본천로***번길 **,
4 정영민 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이익배 대한민국 제주특별자치도 서귀포시 서호남로 **, ***동 ***호 (서호동)(세광특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0220694-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065349-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0031444-58
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0088581-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0088580-26
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0133677-48
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.04.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0015023-13
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0209088-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
전체 용액 100 몰 기준으로 90 ~ 99 몰의 용매 와, Zn을 포함하는 제1물질, Ga을 포함하는 제2물질, In을 포함하는 제3물질을 포함하는 전구체 용액을 준비하고, 상기 전구체 용액을 대상 기판에 도포하여 박막을 형성하고, 상기 박막을 1차 열처리하여 유기물을 제거하고, 상기 박막을 100 ~ 450 ℃ 온도에서 2차 열처리하여 캐리어를 생성하는 단계를 포함하며, 상기 전구체 용액에 있어서, Zn을 포함하는 제1물질 100몰에 대하여, Ga을 포함하는 제2물질은 10 ~ 130 몰, In을 포함하는 제3물질은 10 ~ 150 몰을 함유하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1물질, 제2물질, 제3물질은 금속 질화물 또는 금속 아세테이트로 구성되는 산화물 반도체 박막 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제9항에 있어서, 상기 전구체 용액은 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의하여 대상 기판에 도포하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 제조 방법
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101025701 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2009119968 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.