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주변 광 제거를 위한 CMOS 센서의 픽셀 및 그 동작방법

  • 기술번호 : KST2015125212
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구조광을 이용하여 거리를 측정하기 위한 시스템에 이용되는 CMOS 센서의 픽셀 구조에 관한 것이다. 본 발명의 CMOS 센서의 픽셀은 빛을 전기적 신호로 출력하는 광 감지부; 출력된 전압을 수신하는 입력 트랜지스터; 입력 트랜지스터에 연결되며, 주변광으로 인하여 발생된 전하를 축적하는 제1 커패시터; 제1 커패시터에 축적된 전하를 유지하기 위하여 전류가 흐르지 않는 가상 접지 노드를 제공하는 증폭기; 레이저 광원이 오프되었을 때 증폭기의 출력 노드와 가상 접지 노드 사이에 제1 피드백 경로를 생성하는 제1 피드백 트랜지스터; 레이저 광원이 온 되었을 때, 증폭기의 출력 노드와 가상 접지 노드 사이에 제2 피드백 경로를 생성하는 제2 피드백 트랜지스터; 및 제2 피드백 경로에 위치하며, 레이저 광원이 오프일 때 입력 트랜지스터에 전달된 전압과 레이저 광원이 온 되었을 때 입력 트랜지스터에 전달된 전압과의 차분 전압에 대응하는 전하를 축적하는 제2 커패시터를 포함한다. 본 발명에 따르면, 강한 주변광이 존재할 경우에도 구조광에 의한 거리 측정을 정확하게 할 수 있다.구조광, CMOS 센서, 커패시터, 거리 측정, 이동 로봇
Int. CL H04N 5/374 (2011.01)
CPC H04N 5/374(2013.01) H04N 5/374(2013.01) H04N 5/374(2013.01) H04N 5/374(2013.01)
출원번호/일자 1020080022536 (2008.03.11)
출원인 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1461216-0000 (2014.11.06)
공개번호/일자 10-2009-0097416 (2009.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20141119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 천지민 대한민국 경기도 고양시 덕양구
2 채영철 대한민국 서울특별시 서대문구
3 이형기 대한민국 경기 성남시 분당구
4 김동조 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 임승현 대한민국 서울특별시 서대문구
6 김동수 대한민국 서울 서대문구
7 한건희 대한민국 경기 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정영미 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, BYC빌딩 **층 ****호 신지국제특허법률사무소 (역삼동)
2 유경열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)(특허법인 신지)
3 천성훈 대한민국 서울특별시 서초구 마방로*길 **-**, *층(양재동, 서흥빌딩)(청신국제특허법률사무소)
4 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0176620-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0211229-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0157094-30
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0429954-02
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0429953-56
10 등록결정서
Decision to grant
2014.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0543247-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
빛을 전기적 신호로 출력하는 광 감지부; 상기 출력된 신호를 수신하는 입력 트랜지스터;상기 입력 트랜지스터에 연결되며, 주변광으로 인하여 발생된 전하를 축적하는 제1 커패시터; 상기 제1 커패시터에 축적된 전하를 유지하기 위하여 전류가 흐르지 않는 가상 접지 노드를 제공하는 증폭기; 레이저 광원이 오프되었을 때 상기 증폭기의 출력 노드와 상기 가상 접지 노드 사이에 제1 피드백 경로를 생성하는 제1 피드백 트랜지스터; 상기 레이저 광원이 온 되었을 때, 상기 증폭기의 출력 노드와 상기 가상 접지 노드 사이에 제2 피드백 경로를 생성하는 제2 피드백 트랜지스터; 및상기 제2 피드백 경로에 위치하며, 상기 레이저 광원이 오프일 때 상기 입력 트랜지스터에 전달된 전압과 상기 레이저 광원이 온 되었을 때 상기 입력 트랜지스터에 전달된 전압과의 차분 전압에 대응하는 전하를 축적하는 제2 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 센서의 픽셀
2 2
제1항에 있어서,상기 레이저 광원의 온 오프 횟수가 증가함에 따라 상기 제2 커패시터에는 상기 온 오프 횟수와 비례하여 상기 차분 전압에 대응하는 전하가 누적되는 것을 특징으로 하는 CMOS 센서의 픽셀
3 3
제1항에 있어서, 상기 광 감지부는 광을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드;상기 생성된 광 전하를 배출하는 리셋 트랜지스터; 상기 광 전하를 전압 신호로 증폭 변환하는 소스 팔로우어 트랜지스터; 및 글로벌 셔터 방식의 동작을 위해 상기 소스 팔로우어 트랜지스터에 바이어스 전압을 인가하는 바이어스 트랜지스터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 센서의 픽셀
4 4
제1항에 있어서, 상기 증폭기는 입력과 출력 사이에 피드백 경로가 생성되면 전류가 흐르지 않는 가상 접지 노드를 제공하는 인버터 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 센서의 픽셀
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 피드백 트랜지스터와 상기 제2 피드백 트랜지스터를 동시에 온시켜서 상기 제2 커패시터에 축적된 전하를 비우는 초기 리셋 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 CMOS 센서의 픽셀
6 6
제1항에 있어서, 상기 레이저 광원의 온 오프 횟수가 소정의 횟수에 도달될 때마다 상기 제2 커패시터에 축적된 전하를 출력하는 출력 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 센서의 픽셀
7 7
제6항에 있어서, 상기 출력 트랜지스터에서 출력된 전하는 상기 증폭기의 입력 노드에 생성되는 오프셋 전압을 제거하기 위한 오프셋 전압 제거 회로로 입력되는 것을 특징으로 하는 CMOS 센서의 픽셀
8 8
제1항에 기재된 CMOS 센서의 픽셀 동작 방법으로서, 상기 제2 커패시터에 축적된 전하를 비우는 리셋 동작을 수행하는 단계; 상기 레이저 광원이 오프일 때, 상기 입력 트랜지스터 및 상기 제1 피드백 트랜지스터를 온 시키고, 상기 입력 트랜지스터를 통해 전달되는 주변광으로 인하여 발생된 전하를 상기 제1 커패시터에 축적하는 단계; 상기 레이저 광원이 온일 때, 상기 입력 트랜지스터 및 상기 제2 피드백 트랜지스터를 온 시키고, 상기 레이저 광원이 오프일 때 상기 입력 트랜지스터에 전달된 전압과 상기 레이저 광원이 온 되었을 때 상기 입력 트랜지스터에 전달된 전압과의 차분 전압에 대응하는 전하를 제2 커패시터에 축적하는 단계를 포함하고, 상기 레이저 광원의 온 오프 횟수가 증가함에 따라 상기 제2 커패시터에는 상기 온 오프 횟수와 비례하여 상기 차분 전압에 대응하는 전하가 누적되는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 레이저 광원의 온 오프 횟수가 소정의 횟수에 도달될 때마다 상기 제2 커패시터에 축적된 전하를 출력하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제9항에 있어서, 출력된 전하를 상기 피드백 경로에 의하여 상기 증폭기의 입력 노드에 생성되는 오프셋 전압을 제거하기 위한 오프셋 전압 제거 회로로 입력하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.