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벌크 기판 상에 실리콘 산화막과 단결정 실리콘 박막이 순차 적층된 SOI 기판을 마련하는 단계;
상기 단결정 실리콘 박막에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하는 단계; 및
상기 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가한 상태에서 상기 단결정 실리콘 박막에 빛을 조사하여, 상기 단결정 실리콘 박막을 남겨놓은 상태에서 상기 실리콘 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 단결정 실리콘 박막에 빛을 조사하기 전에, 상기 에칭액 또는 에칭액의 증기가 가해진 단결정 실리콘 박막 위에 마이크로 렌즈 어레이를 배치하는 단계를 더 포함하고,
상기 단결정 실리콘 박막에 빛을 조사할 때 상기 마이크로 렌즈 어레이를 통해 빛을 모아서 조사하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 단결정 실리콘 박막에 조사되는 빛은 가시광선인 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 단결정 실리콘 박막에 조사되는 빛의 파장은 380 내지 750 nm인 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 실리콘 산화막을 제거하는 단계는,
상기 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가한 상태에서 상기 단결정 실리콘 박막에 빛을 조사하여, 상기 에칭액 또는 증기의 에칭제 성분이 상기 단결정 실리콘 박막을 통과하는 단계; 및
상기 단결정 실리콘 박막을 남겨놓은 상태에서, 상기 단결정 실리콘 박막을 통과한 에칭제 성분에 의해 상기 실리콘 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 에칭액 성분은 HF 분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 단결정 실리콘 산화막을 제거하는 단계 후에, 상기 단결정 실리콘 박막을 다른 기판 상으로 옮기는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제7항에 있어서,
상기 다른 기판은 플렉시블(flexible) 기판인 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제7항에 있어서,
상기 단결정 실리콘 박막을 다른 기판 상으로 옮기는 단계는, PDMS(PolyDiMethylSiloxane)을 이용하여 다른 기판 상으로 붙이는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 에칭액은 HF 또는 BOE 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 단결정 실리콘 박막에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하는 단계는, 상기 단결정 실리콘 박막을 에칭액에 넣는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 단결정 실리콘 박막에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하는 단계는, 밀폐된 공간에 상기 단결정 실리콘 박막을 에칭액과 함께 배치하여 상기 밀폐된 공간에 있는 에칭액으로부터 나온 증기가 상기 단결정 실리콘 박막에 가해지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 박막의 제조 방법
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