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ＰＶＤＦ의 γ 결정화 방법, 상기 방법을 적용한 커패시터 및 전계효과트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126132
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PVDF의 γ결정화 발현방법, 특히, 패턴화된 γ 결정화 발현 방법에 관한 기술로서, 상기 방법을 적용하여 패턴화된 γ 결정을 갖는 PVDF를 갖는 커패시터와 전계효과트랜지스터를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/312 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01)
출원번호/일자 1020100121925 (2010.12.02)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0060429 (2012.06.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.02)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 강석주 대한민국 서울특별시 서초구
3 배인성 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0794752-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0067230-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0186794-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0265131-72
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0265130-26
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0562433-35
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.23 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0968866-55
10 보정요구서
Request for Amendment		 2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0143353-66
11 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2013.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0000398-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0336824-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 PVDF(poly(vinylidene fluoride)) 용액을 코팅하는 단계(I); 상기 코팅된 PVDF 박막 위에 탑층(top layer)을 형성하는 단계(II); 상기 PVDF의 용융점 이상에서 PVDF 박막을 용융시키는 단계(III); 및 냉각하여 상기 PVDF 박막을 재결정화하는 단계(IV)를 포함하는 것을 특징으로 하는 용융-재결정을 이용한 PVDF 박막의 γ 결정화 방법
2 2
제1항에서, 상기 탑층은 극성 물질인 것을 특징으로 하는 용융-재결정을 이용한 PVDF 박막의 γ 결정화 방법
3 3
제2항에서, 상기 탑층은 금속인 것을 특징으로 하는 용융-재결정을 이용한 PVDF 박막의 γ 결정화 방법
4 4
제1항에서, 상기 탑층은 일정한 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 용융-재결정을 이용한 PVDF 박막의 γ 결정화 방법
5 5
제1항에서, 상기 PVDF를 용융시키기 위한 용융온도는 164℃ 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 용융-재결정을 이용한 PVDF 박막의 γ 결정화 방법
6 6
제1항에서, 상기 단계(IV) 후 탑층을 제거하는 단계(V)를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 용융-재결정을 이용한 PVDF 박막의 γ 결정화 방법
7 7
제1항에서, 커패시터인 경우 상기 기판이 하부전극인 것을 특징으로 하는 용융-재결정을 이용한 PVDF 박막의 γ 결정화 방법
8 8
제1항에서, 트랜지스터의 경우 상기 기판이 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 용융-재결정을 이용한 PVDF 박막의 γ 결정화 방법
9 9
하부전극/PVDF박막/상부전극으로 이루어진 커패시터의 제조방법에 있어서, 상기 하부전극 위에 PVDF 용액을 코팅하는 단계(I); 상기 하부전극 위에 코팅된 PVDF 박막 위에 상부전극을 형성하는 단계(II); PVDF의 용융점 이상에서 PVDF 박막을 용융시키는 단계(III); 및 냉각하여 상기 PVDF 박막을 재결정화하는 단계(IV)를 포함하는 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 커패시터의 제조방법
10 10
제9항에서, 상기 상부전극은 일정한 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 커패시터의 제조방법
11 11
제9항에서, 상기 PVDF 박막의 용융온도는 164℃ 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 커패시터의 제조방법
12 12
게이트 절연체로서 PVDF 박막을 사용하는 전계효과 트랜지스터에 있어서, 게이트 전극 위에 PVDF 용액을 코팅하는 단계(I); 상기 게이트 전극 위에 코팅된 PVDF 박막 위에 탑층을 형성하는 단계(II); PVDF의 용융점 이상에서 PVDF 박막을 용융시키는 단계(III); 냉각하여 상기 PVDF 박막을 재결정화하는 단계(IV); 상기 탑층을 제거하는 단계(V); 및 반도체 채널층, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계(VI)를 포함하는 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
13 13
제12항에서, 상기 게이트 전극은 게이트 누설전류를 줄이기 위하여 별도의 층(layer)을 더 갖는 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
14 14
제13항에서, 상기 누설전류를 감소시키기 위한 상기 별도의 층으로서 PVP(poly(vinylpyrrolidone)) 층인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
15 15
제12항에서, 상기 탑층은 극성 물질인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
16 16
제15항에서, 상기 탑층은 금속인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
17 17
제12항에서, 상기 탑층은 일정한 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
18 18
제12항에서, 상기 용융온도는 164℃ 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
19 19
제12항에서, 상기 반도 체널층은 펜타센층인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
20 20
게이트 절연체로서 PVDF 박막을 사용하는 전계효과 트랜지스터에 있어서, 게이트 전극 위에 PVDF 용액을 코팅하는 단계(I); 상기 PVDF 박막 위에 반도체 채널층으로 P3HT(poly(3-hexylthiophene))층을 형성하는 단계(II); PVDF의 용융점 이상에서 PVDF 박막을 용융시키는 단계(III); 냉각하여 상기 PVDF 박막을 재결정화하는 단계(IV); 및 소스-드레인 전극을 형성하는 단계(V)를 포함하는 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
21 21
제20항에서, 상기 게이트 전극은 게이트 누설전류를 줄이기 위하여 별도의 층(layer)을 더 갖는 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
22 22
제21항에서, 상기 누설전류를 감소시키기 위한 별도의 층이 PVP층인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
23 23
제20항에서, 상기 P3HT 반도체 채널층은 일정한 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
24 24
제20항에서, 상기 P3HT 반도체 채널층은, 패턴을 갖는 PDMS 스탬프에 P3HT 용액을 묻힌 후, 상기 PVDF 박막 위에 스탬핑(stamping)하여 패턴화된 P3HT 반도체 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
25 25
제20항에서, 상기 용융온도는 164℃ 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 PVDF 박막의 용융-재결정을 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.