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수소이온 전도성 가지형 염소계 고분자 전해질막 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015127167
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다음 화학식 1로 표현되는 염소계 고분자 전해질막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 여기서, 상기 X1 내지 X3는 Cl, H 또는 F를 갖는 치환기이며; R1 및 R2는 적어도 하나 이상의 술폰화(SO3-) 그룹을 갖는 치환기이고; x 및 y는 100 내지 50,000이다.전해질막, 연료전지, 염소계 고분자
Int. CL H01M 8/02 (2010.01)
CPC H01M 8/1023(2013.01) H01M 8/1023(2013.01) H01M 8/1023(2013.01) H01M 8/1023(2013.01) H01M 8/1023(2013.01) H01M 8/1023(2013.01)
출원번호/일자 1020070044051 (2007.05.07)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0860790-0000 (2008.09.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.07)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종학 대한민국 서울 도봉구
2 김용우 대한민국 서울 성동구
3 최진규 대한민국 서울 서대문구
4 이도경 대한민국 인천 연수구
5 민병렬 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0338250-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0076825-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0157503-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0360465-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0360467-20
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0472195-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음 화학식 1로 표현되는 염소계 고분자 전해질막: 여기서, 상기 X1 내지 X3 는 Cl, H 또는 F를 갖는 치환기이며; R1 및 R2는 적어도 하나 이상의 술폰화(SO3-) 그룹을 갖는 치환기이고; x 및 y는 100 내지 50,000이다
2 2
제 1항에 있어서, 상기 X1 내지 X3 가 Cl, H 또는 F인 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막
3 3
제 1항에 있어서, 상기 염소계 고분자 전해질막의 두께가 30 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막
4 4
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 염소계 고분자 전해질막을 포함하는 연료전지
5 5
ⅰ) 전해질막 전체 중량대비 10 내지 50중량%의 염소계 고분자를 염소계 고분자 중량대비 1 내지 20중량%의 용매에 용해시키는 염소계 고분자 용해단계; ⅱ) 상기 단계 ⅰ)의 염소계 고분자 용액에 전해질막 전체 중량대비 50 내지 90중량%의 술폰화된 단량체를 혼합하는 단량체 첨가단계; ⅲ) 상기 단계ⅱ)의 고분자 용액에 상기 고분자 용액 중량대비 0
6 6
제 5항에 있어서, 상기 단계 ⅱ)가 술폰화된 단량체를 술폰화된 단량체 중량 대비 1 내지 20중량%의 용매에 용해시킨 후 단계 ⅰ)의 염소계 고분자 용액에 첨가하는 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막의 제조방법
7 7
제 5항에 있어서, 상기 염소계 고분자가 폴리비닐리덴 플로라이드-코-클로로트리플루오르에틸렌, 폴리비닐 클로라이드, 폴리 클로로 트리플루오르 에틸렌, 폴리 다이 클로로 다이 플루오르 메탄, 폴리비닐리덴 다이 클로라이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 공중합체인 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막의 제조방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 술폰화 그룹이 있는 단량체가 다음 화학식 2로 표현되는 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막의 제조방법: ------ (화학식 2) 여기서, 상기 R1 및 R2는 적어도 하나 이상의 술폰화(SO3-) 그룹을 갖는 치환기이다
9 9
제 8항에 있어서, 상기 화학식 2로 표현되는 술폰화 그룹이 있는 단량체가 스티렌 술포닉산, 메틸 프로펜 술포닉산, 술포프로필 메타크릴레이트, 술포에틸 메타크릴레이트, 술포부틸 메타크릴레이트, 술포프로필 아크릴레이트, 술포에틸 아크릴레이트, 술포부틸 아크릴레이트 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막의 제조방법
10 10
제 5항에 있어서, 상기 전이금속 할로겐화물을 포함하는 촉매가 다음 화학식 3으로 표현되는 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막의 제조방법: Mp-Yq ------ (화학식 3) 여겨서, 상기 M은 전이금속이고; Y는 상기 전이금속에 대한 음이온으로서 할로겐, 탄소수 1 내지 20개의 알콕시, SO4, PO4, HPO4, H2PO4, 트리플레이트, 티오시아네이트(SCN), 헥사플루오르포스페이트, 알킬술포네이트, 벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되어 형성된 음이온이며, p와 q는 각각 전이금속 이온의 수와 배위수이다
11 11
제 10항에 있어서, 상기 전이금속이 Cu0, Cu1+, Cu2+, Fe2+, Fe3+, Ru2+, Ru3+, Cr2+, Cr3+, Mo0, Mo1+, Mo2+, Mo3+, W2+, W3+, Rh3+, Rh4+, Co1+, Co2+, Re2+, Re3+, Ni0, Ni1+, Mn3+, Mn4+, V2+, V3+, Zn1+, Zn2+, Au1+, Au2+, Ag1+ 또는 Ag2+ 인 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막의 제조방법
12 12
제 5항에 있어서, 상기 배위 리간드가 2,2-비피리딘, 트리페닐포스판, 알킬-2,2-비피리딘, 4,4-디-(5-노닐)-2,2-비피리딘, 4,4-디-(5-헵틸)-2,2-비피리딘, 트리스(2-아미노에틸)아민(TREN), N,N,N',N',N"-펜타메틸디에틸렌트리아민, 1,1,4,7,10,10-헥사메틸트리에틸렌테트라아민, 테트라메틸에틸렌디아민 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막의 제조방법
13 13
제 5항에 있어서, 상기 단계 ⅴ)의 세척단계가 질소 분위기에서 반응하며 생성된 생성물을 비용매에 침전시켜 이물질을 제거한 후 20 내지 50 ℃에서 24 내지 48시간 동안 건조시켜 고분자를 세척하는 것을 특징으로 하는 염소계 고분자 전해질막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.