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선택적 산화아연 나노선의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124968
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ⅰ) 실리콘 기판위에 알루미늄층을 형성시키는 단계; ⅱ) 상기 단계 ⅰ)의 알루미늄층 상단에 포토레지스트층을 형성시킨 후 패터닝하는 패터닝 단계; ⅲ) 상기 단계 ⅱ)의 패터닝 단계가 종료된 후 알루미늄층을 양극산화시켜 다공성 산화 알루미늄층을 형성시키는 양극산화 단계; ⅳ) 상기 단계 ⅲ)의 다공성 산화 알루미늄층이 형성된 실리콘 기판위에 산화아연 시드를 도포하여 산화아연 시드층을 형성시키는 단계; ⅴ) 상기 단계 ⅳ)가 종료된 후 포토레지스트층 및 다공성 산화 알루미늄층을 순차적으로 제거하는 단계; 및 ⅵ) 상기 단계 ⅴ)가 종료된 후 실리콘 기판위에 도포된 산화아연 시드에서 나노선을 성장시키는 산화아연 성장 단계를 포함하는 산화아연 나노선의 제조방법을 제공한다. 산화아연, 나노선, 알루미늄, 패터닝, 용액법
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070040921 (2007.04.26)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0852684-0000 (2008.08.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울 강남구
2 설용건 대한민국 서울 서대문구
3 이영환 대한민국 서울 마포구
4 이종혁 대한민국 서울 도봉구
5 박기병 대한민국 경기 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)
2 연무식 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0317143-11
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0237719-25
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0471620-91
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0471646-77
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0471679-73
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0399183-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ⅰ) 실리콘 기판위에 알루미늄층을 형성시키는 단계; ⅱ) 상기 단계 ⅰ)의 알루미늄층 상단에 포토레지스트층을 형성시킨 후 패터닝하는 패터닝 단계; ⅲ) 상기 단계 ⅱ)의 패터닝 단계가 종료된 후 알루미늄층을 양극산화시켜 다공성 산화 알루미늄층을 형성시키는 양극산화 단계; ⅳ) 상기 단계 ⅲ)의 다공성 산화 알루미늄층이 형성된 실리콘 기판위에 산화아연 시드를 도포하여 산화아연 시드층을 형성시키는 단계; ⅴ) 상기 단계 ⅳ)가 종료된 후 포토레지스트층 및 다공성 산화 알루미늄층을 순차적으로 제거하는 단계; 및 ⅵ) 상기 단계 ⅴ)가 종료된 후 실리콘 기판위에 도포된 산화아연 시드를 성장시키기 위해 산화아연 시드가 도포된 실리콘 기판을 30 내지 100℃의 온도를 갖는 pH 10 내지 12로 유지되는 아연염, 수산화기 및 암모늄기를 포함하는 수용액에 5 내지 7시간 동안 침지하는 산화아연 성장 단계를 포함하는 산화아연 나노선의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단계 ⅳ)의 산화아연 시드층의 두께가 100 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단계 ⅲ)의 다공성 산화 알루미늄층을 형성시키는 양극산화 단계가 알루미늄층을 포함하는 실리콘 기판의 양극에 알루미늄을 설치하고 음극에 Pb판을 설치한 뒤 10 내지 30℃의 전해액에서 30 내지 50V의 전압으로 50 내지 70분 동안 알루미늄층을 산화시키는 1차 양극산화 단계; 상기 1차 양극산화 단계가 종료된 알루미늄층을 포함하는 실리콘 기판을 60 내지 70℃의 온도로 유지되는 4 내지 8중량%의 인산, 1 내지 2
4 4
제 3항에 있어서, 상기 전해액이 0
5 5
제 1항에 있어서, 상기 단계 ⅴ)의 포토레지스트층를 제거하는 것이 오존을 물에 용해시킨 오존수를 이용하여 포토레지스트를 산화 및 용해시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 단계 ⅴ)의 다공성 산화 알루미늄층을 제거하는 것이 60 내지 70℃의 온도로 유지되는 4 내지 8중량%의 인산, 1 내지 2
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 아연염, 수산화기 및 암모늄기를 포함하는 수용액이 전체 수용액 중량 기준으로 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.