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도핑된 산화아연 나노선의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125014
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 시드가 도포된 실리콘 기판을 pH 10.2 내지 10.4로 유지되는 아연염, 암모늄염, 수산화기 및 도핑물질이 포함된 아연염-암모늄염 착화합물 수용액에 60 내지 90℃의 온도로 5 내지 7시간 동안 담지시키는 것을 포함하는 산화아연 나노선의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 산화아연 나노선에 철 및/또는 카드늄을 도핑함으로써 가스 선택성, 안정성 및 감도가 개선된 산화아연 나노선을 제조할 수 있는 효과가 있다. 산화아연, 나노선, 도핑물질, 기체센서
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070038764 (2007.04.20)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0851281-0000 (2008.08.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울 강남구
2 백성훈 대한민국 서울 서대문구
3 송재진 대한민국 서울 강서구
4 이영환 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)
2 연무식 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0300435-40
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0056442-40
3 서지사항보정서(납부사항정정)
Amendment to Bibliographic items(Correction of Payment Particulars)		 2007.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0328242-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0234653-96
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0471561-95
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0471509-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0471539-90
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0402455-04
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화아연 시드가 도포된 실리콘 기판을 pH 10
2 2
제 1항에 있어서, 상기 아연염, 암모늄염, 수산화기 및 도핑물질이 포함된 아연염-암모늄염 착화합물 수용액이 전체 아연염 중량을 기준으로 암모늄염, 수산화기, 도핑물질 및 용매가 1:1
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 도핑물질이 철 아세테에트, 카드늄 아세테이트 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선의 제조방법
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 아연염이 아연 니트레이트인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.