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기판 상에 희생 산화막을 형성하는 단계;
상기 희생 산화막 상에 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계; 및
상기 비정질 실리콘 박막에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하여, 상기 비정질 실리콘 박막을 남겨놓은 상태에서 상기 희생 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 희생 산화막을 제거하는 단계는,
상기 비정질 실리콘 박막에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하여, 상기 에칭액 또는 증기의 에칭제 성분이 상기 비정질 실리콘 박막을 통과하는 단계; 및
상기 비정질 실리콘 박막을 남겨 놓은 상태에서, 상기 비정질 실리콘 박막을 통과한 에칭제 성분에 의해 상기 희생 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 희생 산화막을 제거하는 단계 후에, 상기 비정질 실리콘 박막을 다른 기판 상으로 옮기는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 다른 기판은 플렉시블 기판인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 비정질 실리콘 박막을 다른 기판 상으로 옮기는 단계는, PDMS(PolyDiMethylSiloxane)를 이용하여 상기 비정질 실리콘 박막을 다른 기판 상으로 붙이는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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6
제1항에 있어서,
상기 희생 산화막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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7
제6항에 있어서,
상기 실리콘 산화막은 건식 산화, 습식 산화 또는 PECVD를 이용하여 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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8
제6항에 있어서,
상기 에칭액은 HF 또는 BOE 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 비정질 실리콘 박막에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하는 단계는, 상기 비정질 실리콘 박막을 에칭액에 넣는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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10
제1항에 있어서,
상기 비정질 실리콘 박막에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하는 단계는, 밀폐된 공간에 상기 비정질 실리콘 박막을 에칭액과 함께 배치하여 상기 밀폐된 공간에 있는 에칭액으로부터 나온 증기가 상기 비정질 실리콘 박막에 가해지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계는, 상기 희생 산화막 상에 PECVD를 이용하여 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 제조 방법
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