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미세 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015128580
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고가의 장비를 사용하지 않고도 100nm 이하 폭의 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 미세 패턴 형성 방법은, 기판 위에 열가소성 고분자 수지로 서로간 제1 간격을 유지하는 고분자 패턴을 형성하는 단계와, 고분자 패턴을 가열하여 제1 간격보다 작은 제2 간격을 유지하는 고분자 몰드를 형성하는 단계와, 기판과 고분자 몰드 위로 패턴 대상물을 도포하는 단계와, 고분자 몰드를 리프트-오프시켜 제2 거리와 동일 폭을 가지는 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 패턴, 열가소성, 고분자, 몰드, 도포, 증착, 스퍼터링, 리프트오프
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020090060308 (2009.07.02)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1059973-0000 (2011.08.22)
공개번호/일자 10-2011-0002705 (2011.01.10) 문서열기
공고번호/일자 (20110826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최대근 대한민국 대전 유성구
2 이기중 대한민국 대전 서구
3 정준호 대한민국 대전 유성구
4 김기돈 대한민국 서울 송파구
5 이지혜 대한민국 대전 유성구
6 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
7 이응숙 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0405489-58
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0088280-15
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0189111-63
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0189110-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0461653-47
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 열가소성 고분자 수지로 서로간 제1 간격을 유지하는 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 고분자 패턴을 가열하여 상기 제1 간격보다 작은 제2 간격을 유지하는 고분자 몰드를 형성하는 단계; 상기 기판과 상기 고분자 몰드 위로 패턴 대상물을 도포하는 단계; 및 상기 고분자 몰드를 리프트-오프시켜 상기 제2 간격과 동일 폭을 가지는 미세 패턴을 형성하는 단계 를 포함하는 미세 패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 고분자 패턴을 형성하는 단계에서 상기 열가소성 고분자 수지를 임프린트 공정과 포토리소그래피 중 어느 하나의 공정으로 패터닝하여 상기 고분자 패턴을 형성하는 미세 패턴 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 고분자 몰드를 형성하는 단계에서 상기 제2 간격은 30nm보다 작은 미세 패턴 형성 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 패턴 대상물을 도포하는 단계에서 상기 패턴 대상물은 금속과 무기물 중 적어도 하나를 포함하며, 스퍼터링 또는 증착으로 도포되는 미세 패턴 형성 방법
5 5
기판 위에 열가소성 고분자 수지로 서로간 제1 간격을 유지하는 제1 고분자 패턴을 형성하는 제1 단계; 상기 제1 고분자 패턴을 가열하여 상기 제1 간격보다 작은 제2 간격을 유지하는 제1 고분자 몰드를 형성하는 제2 단계; 상기 기판과 상기 제1 고분자 몰드 위로 패턴 대상물을 도포하는 제3 단계; 상기 제1 고분자 몰드를 리프트-오프시켜 상기 제2 간격과 동일 폭을 가지는 제1 미세 패턴을 형성하는 제4 단계; 및 상기 제1 단계 내지 상기 제4 단계를 반복하여 제2 고분자 패턴 및 제2 고분자 몰드 형성 후 상기 제1 미세 패턴 사이로 제2 미세 패턴을 형성하는 후속 공정 을 포함하며, 상기 후속 공정에서 상기 제2 고분자 패턴의 중심 위치는 상기 제1 고분자 패턴의 중심 위치로부터 떨어져 위치하는 미세 패턴 형성 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 고분자 패턴을 형성하는 단계에서 상기 열가소성 고분자 수지를 임프린트 공정과 포토리소그래피 중 어느 하나의 공정으로 패터닝하여 상기 제1 고분자 패턴을 형성하는 미세 패턴 형성 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 제1 고분자 몰드를 형성하는 단계에서 상기 제2 간격은 30nm보다 작은 미세 패턴 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 패턴 대상물을 도포하는 단계에서 상기 패턴 대상물은 금속과 무기물 중 적어도 하나를 포함하며, 스퍼터링 또는 증착으로 도포되는 미세 패턴 형성 방법
9 9
제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후속 공정을 1회 내지 99회 수행하여 최종 미세 패턴의 밀도를 높이는 미세 패턴 형성 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 최종 미세 패턴은 균일한 피치를 가지는 복수의 미세 패턴을 포함하며, 상기 후속 공정에서 상기 제2 고분자 패턴은 하기 수학식을 만족하는 미세 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 교육과학기술부 한국기계연구원 21세기 프론티어-나노메카트로닉스 기술개발사업 나노임프린트 공정기술 개발