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나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015128725
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노임프린트를 이용한 패턴형성방법에 관한 것으로서, 본 발명의 제1실시형태에 의한 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법은, 기판상에, 금속원소에 에너지선 또는 열 중 적어도 하나에 의하여 분해가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 코팅하는 단계; 몰드를 상기 코팅된 금속-유기물 전구체 조성물상에 가압하는 단계; 가열 또는 에너지선 조사 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 조성물에 패턴을 임프린팅하여, 상기 기판상에 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 산화박막 패턴의 전면을 건식 식각에 의하여 에칭하는 단계를 포함하며, 상기 에칭단계에 의하여 상기 금속 산화박막 패턴 중 오목부(凹部)에 해당하는 부분의 기판이 함께 식각됨으로써, 상기 금속 산화박막 패턴의 두께 방향으로의 단면 형상에 상응하는 요철로 이루어진 패턴이 상기 기판 자체에 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 광 추출 효율이 극대화된 나노 패턴을 형성할 수 있고, 금속 산화물 이외에 정밀하고 미세한 패턴 형성이 요구되는 재질로 패턴을 형성할 수 있으며, 아울러, 나노막대의 정밀한 정렬 및 밀도 조절이 용이하게 수행될 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020100026302 (2010.03.24)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1088359-0000 (2011.11.24)
공개번호/일자 10-2011-0107120 (2011.09.30) 문서열기
공고번호/일자 (20111201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형호 대한민국 대전광역시 유성구
2 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
3 최대근 대한민국 대전광역시 유성구
4 김기돈 대한민국 서울특별시 송파구
5 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
6 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
7 이응숙 대한민국 경상남도 마산시
8 전소희 대한민국 서울특별시 서초구
9 박성제 대한민국 대전광역시 유성구
10 이순원 대한민국 대전광역시 유성구
11 김사라 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0186444-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0035106-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0258920-26
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0537921-47
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0537901-34
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0663509-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판상에, 금속원소에 에너지선 또는 열 중 적어도 하나에 의하여 분해가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 코팅하는 단계;몰드를 상기 코팅된 금속-유기물 전구체 조성물상에 가압하는 단계;가열 또는 에너지선 조사 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 조성물에 패턴을 임프린팅하여, 상기 기판상에 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 상기 금속 산화박막 패턴의 전면을 건식 식각하여, 상기 금속 산화박막 패턴 중 오목부(凹部)에 해당하는 부분을 에칭에 의하여 제거하는 단계; 상기 제거된 오목부를 포함하는 잔류 금속 산화박막 패턴의 전면에, 진공 증착방식에 의하여 증착 박막 패턴을 형성하는 단계; 및불산(HF) 또는 완충 산화물 에칭제(buffered oxide etchant, BOE) 중 적어도 하나의 에칭제를 사용하여, 상기 잔류 금속 산화박막 패턴을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법
3 3
제2항에 있어서,상기 증착 박막 패턴은, 금속 또는 탄소로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 진공 증착방식은, 물리기상증착법(PVD), 화학기상증착법(CVD), 스퍼터링법, 이온빔 증착법 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법
5 5
제2항에 있어서,상기 잔류 금속 산화박막 패턴 제거단계 이후, 몰드를 이용하여 폴리머를 상기 잔류 증착 박막 패턴상에 캐스팅하여, 상기 잔류 증착 박막 패턴을 상기 폴리머에 이동시킴과 동시에, 상기 기판을 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법
6 6
제5항에 있어서,상기 기판은 Si 또는 SiO2로 이루어진 기재상에 Ni, Cu, Pt, Pd 또는 Co 중 적어도 하나로 이루어진 박막이 증착되어 이루어지고,상기 증착 박막 패턴은 그라핀(graphene)으로 이루어지며, 상기 진공 증착방식은 화학기상증착법(CVD)으로 수행되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법
7 7
기판상에, 금속원소에 에너지선 또는 열 중 적어도 하나에 의하여 분해가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 코팅하는 단계;몰드를 상기 코팅된 금속-유기물 전구체 조성물상에 가압하는 단계;가열 또는 에너지선 조사 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 조성물에 패턴을 임프린팅하여, 상기 기판상에 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 산화박막 패턴 상에 금속 산화물 나노막대를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트에 의한 패턴 형성방법
8 8
제7항에 있어서,상기 금속 산화박막 패턴 형성단계 이후, 상기 금속 산화박막 패턴의 전면을 건식 식각하여, 상기 금속 산화박막 패턴 중 오목부(凹部)에 해당하는 부분을 에칭에 의하여 제거하는 단계를 더 포함하며, 상기 금속 산화물 나노막대 성장 단계는, 상기 금속 산화박막 패턴 중 잔류한 볼록부(凸部) 상에 상기 금속 산화물 나노막대를 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노임프린트에 의한 패턴 형성방법
9 9
제7항에 있어서,상기 금속 산화물 나노막대는, Zn, Sn, Ti, Si, Al, Zr, Ni, Cu, Cr, Fe, Co, Ba 중 적어도 하나의 금속의 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노임프린트에 의한 패턴 형성방법
10 10
제2항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속-유기물 전구체 조성물에 있어서 사용되는 상기 유기물 리간드는, 에틸헥사노에이트(ethyl hexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamate), 카르복실산(carboxylic acid), 카르복실레이트(carboxylate), 파라딘(pyridine), 디아민(diamine), 아르신(arsine), 디아르신(diarsine), 포스핀(phosphine), 디포스핀(diphosphine), 부톡사이드(butoxide), 이소프로폭사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 방향족 탄화수소(aromatic hydrocarbon, arene), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-nitrobenzaldehyde), 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate) 중 적어도 하나이며, 상기 조성물은 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트에 의한 패턴 형성방법
11 11
제2항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화박막 패턴 형성단계 이후에, 상기 금속 산화박막 패턴을 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트에 의한 패턴 형성방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 21세기 프론티어-나노메카트로닉스 기술개발사업 나노임프린트 공정기술 개발