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베이스 기판의 일면에 나노미터 스케일의 미세 패턴을 형성하는 단계;상기 미세 패턴이 형성된 상기 베이스 기판의 일면을 이형 처리하는 단계;상기 이형 처리된 상기 미세 패턴 위에 자외선 경화형 수지를 도포하고, 스탬프 기판으로 자외선 경화형 수지를 눌러 상기 베이스 기판 위에 스탬프 기판을 적층하는 단계;상기 자외선 경화형 수지를 경화시켜 상기 스탬프 기판의 일면에 상기 미세 패턴과 반대 형상을 지닌 수지 몰드층을 형성하는 단계; 및상기 베이스 기판으로부터 상기 수지 몰드층이 고정된 상기 스탬프 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 미세 패턴은 전자빔 리소그래피, 불화크립톤(KrF) 또는 불화아르곤(ArF) 레이저 스캐너를 이용한 포토리소그래피, 및 나노 임프린트 리소그래피 중 어느 하나의 공정으로 형성되는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스탬프 기판은 자외선에 대해 투과성이 있는 재질로 형성되는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 스탬프 기판은 수정(quartz)으로 제조되는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 자외선 경화형 수지는 상기 스탬프 기판을 투과하여 입사된 자외선에 의해 경화되는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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제1항 및 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 수지 몰드층을 식각 베리어로 사용하여 상기 스탬프 기판의 일면을 식각함으로써 상기 스탬프 기판의 일면에 상기 수지 몰드층과 같은 형상을 지닌 미세 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 스탬프 기판을 식각 후 남은 수지 몰드층을 제거하는 단계를 더 포함하는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 수지 몰드층의 제거는 수지 몰드층 전용 에천트를 이용하여 진행되는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 수지 몰드층이 제거될 때까지 상기 스탬프 기판의 식각을 계속 진행하여 상기 수지 몰드층을 제거하는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
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