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고밀도 미세 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015130961
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저밀도 패터닝 방법을 이용하여 고밀도의 나노 패턴 및 복합 패턴을 형성할 수 있는 고밀도 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 고밀도 미세 패턴 형성 방법은, 기판 위에 제1 고분자 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 제1 고분자 패턴 위로 제1 패턴 대상물을 도포하는 단계와, 제1 고분자 패턴을 리프트-오프시켜 제1 미세 패턴을 형성하는 단계와, 기판 위에 제2 고분자 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 제2 고분자 패턴 위로 제2 패턴 대상물을 도포하는 단계와, 제2 고분자 패턴을 리프트-오프시켜 제2 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 제2 고분자 패턴은 제1 고분자 패턴과 다른 위치에 형성된다. 고분자패턴, 미세패턴, 나노패턴, 복합패턴, 리프트오프, 임프린트, 포토리소그래피
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020090069633 (2009.07.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1042385-0000 (2011.06.10)
공개번호/일자 10-2011-0012083 (2011.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최대근 대한민국 대전 유성구
2 이기중 대한민국 대전 서구
3 정준호 대한민국 대전 유성구
4 김기돈 대한민국 서울 송파구
5 이지혜 대한민국 대전 유성구
6 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0466739-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.22 수리 (Accepted) 9-1-2011-0017086-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0116486-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0224868-62
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0224870-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296238-86
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 제1 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판과 상기 제1 고분자 패턴 위로 제1 패턴 대상물을 도포하는 단계; 상기 제1 고분자 패턴을 리프트-오프시켜 제1 미세 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 제2 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판과 상기 제2 고분자 패턴 위로 제2 패턴 대상물을 도포하는 단계; 및 상기 제2 고분자 패턴을 리프트-오프시켜 제2 미세 패턴을 형성하는 단계 를 포함하며, 상기 제2 고분자 패턴은 상기 제1 고분자 패턴과 다른 위치에 형성되고, 상기 제1 고분자 패턴과 상기 제2 고분자 패턴은 열가소성 수지로 형성되며, 패터닝 후 가열되어 확장된 폭을 가지는 미세 패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 고분자 패턴은 상기 제1 고분자 패턴과 다른 모양으로 형성되는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 고분자 패턴은 제1 몰드를 이용한 임프린트 공정으로 형성되고, 상기 제2 고분자 패턴은 제2 몰드를 이용한 임프린트 공정으로 형성되는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 제1 고분자 패턴은 제1 노광 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 형성되고, 상기 제2 고분자 패턴은 제2 노광 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 형성되는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 고분자 패턴은 상기 제1 고분자 패턴과 같은 모양으로 형성되고, 상기 제1 고분자 패턴의 중심 위치로부터 상기 제1 고분자 패턴의 피치보다 작은 값으로 이동하여 위치하는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 고분자 패턴과 상기 제2 고분자 패턴은 제1 몰드를 이용한 임프린트 공정으로 형성되고, 상기 제1 고분자 패턴 형성 후 상기 제1 몰드를 이동시켜 상기 제2 고분자 패턴을 형성하는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 제1 고분자 패턴과 상기 제2 고분자 패턴은 제1 노광 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 형성되고, 상기 제1 고분자 패턴 형성 후 상기 제1 노광 마스크를 이동시켜 상기 제2 고분자 패턴을 형성하는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 제1 미세 패턴은 상기 제2 고분자 패턴의 리프트-오프 용매에 대해 내화학성을 가지는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제1 미세 패턴과 상기 제2 미세 패턴은 같은 물질로 형성되며, 금속, 유기물, 무기물 중 적어도 하나를 포함하는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 제1 미세 패턴과 상기 제2 미세 패턴은 니켈, 철, 코발트, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 이트륨, 및 팔라듐 중 적어도 하나를 포함하며, 탄소나노튜브 성장을 위한 촉매층으로 사용되는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 제1 미세 패턴과 상기 제2 미세 패턴은 금 또는 ZnO를 포함하며, 나노와이어 성장을 위한 촉매층으로 사용되는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 제1 미세 패턴과 상기 제2 미세 패턴은 다른 물질로 형성되며, 금속, 유기물, 무기물 중 적어도 하나를 포함하는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 제1 미세 패턴과 상기 제2 미세 패턴 중 어느 하나는 표면 또는 물질 중에 하이드록시기, 카르복실기, 및 아민기 중 어느 하나를 함유하는 물질을 포함하고, 다른 하나는 불화 고분자, 실리콘 함유 고분자, 및 하이드로카본 체인 말단기 물질 중 어느 하나를 포함하는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 제1 미세 패턴과 상기 제2 미세 패턴 중 어느 하나는 니켈, 철, 코발트, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 이트륨, 및 팔라듐 중 적어도 하나를 포함하여 탄소나노튜브 성장을 위한 촉매층으로 사용되고, 다른 하나는 금 또는 ZnO를 포함하여 나노와이어 성장을 위한 촉매층으로 사용되는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
16 16
제1항 내지 제7항, 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 미세 패턴 형성 후 고분자 패턴 형성, 패턴 대상물 도포 및 고분자 패턴의 리프트-오프 단계를 1회 이상 반복하여 미세 패턴의 개수를 늘리는 추가 공정을 더욱 포함하는 고밀도 미세 패턴 형성 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 21세기 프론티어-나노메카트로닉스 기술개발사업 나노임프린트 공정기술 개발