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전계 효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131765
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 (a) 기판 상에 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계; (b) 상기 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 패시베이션층을 증착하는 단계; (c) 리쏘그라피(lithography) 공정을 통해 상기 패시베이션층 상부에 채널 영역 형성을 위한 미세 패턴을 전사하는 단계; 및 (d) 상기 미세 패턴에 따라 상기 패시베이션층 및 유기 반도체층을 식각하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 유기 반도체층 상부에 패시베이션층을 증착하여 미세 패터닝이 가능하며, 유기 반도체층의 안정성을 높일 수 있는 장점이 있다. 유기 반도체, 펜타신, 패시베이션, 알루미나, 증착, 전계 효과 트랜지스터
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01)
출원번호/일자 1020090016698 (2009.02.27)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1043688-0000 (2011.06.16)
공개번호/일자 10-2010-0097844 (2010.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정숙 대한민국 서울특별시 노원구
2 박성찬 대한민국 서울특별시 동대문구
3 허정환 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김규태 대한민국 경기도 광명시 철

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0122301-80
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0130525-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0521270-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0038088-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0038122-68
8 등록결정서
Decision to grant
2011.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0320055-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
전계 효과 트랜지스터 소자를 제조하는 방법에 있어서, (a) 기판 상에 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계; (b) 상기 유기 반도체, 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 패시베이션층을 증착하는 단계; (c) 리쏘그라피(lithography) 공정을 통해 상기 패시베이션층 상부에 채널 영역 형성을 위한 미세 패턴을 전사하는 단계; 및 (d) 상기 미세 패턴에 따라 상기 패시베이션층 및 유기 반도체층을 식각하는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 소자 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 펜타신인 전계 효과 트랜지스터 소자 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 패시베이션층은 Al2O3인 전계 효과 트랜지스터 소자 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 Al2O3 는 원자층박막증착법(Atomic Layer Deposition: ALD)으로 증착되는 전계 효과 트랜지스터 소자 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 상기 패시베이션층 상부에 포토 레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토 레지스트를 노광하는 단계; 상기 노광된 포토 레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 소자 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 현상 후 잔존하는 포토 레지스트를 보호막으로 하여 패시베이션층을 습식 식각하는 단계; 및 상기 습식 식각 후 잔존하는 패시베이션층을 보호막으로 하여 상기 유기 반도체층을 건식 식각하는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 소자 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 상기 패시베이션층 상부에 전자빔 레지스트를 코팅하는 단계; 상기 전자빔 레지스트를 노광하는 단계; 상기 노광된 전자빔 레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 소자 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 고려대학교 산학협력단 국가지정연구실사업(NRL) SiP(System in Package) 소자 응용을 위한 상향식(bottom-up) 다층 패터닝 공정