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탄화된 포토레지스트를 이용하여 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물

  • 기술번호 : KST2015132115
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공정이 간단하면서도 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화할 수 있는 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에피층 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 갖는다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02642(2013.01) H01L 21/02642(2013.01)
출원번호/일자 1020100036169 (2010.04.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1082457-0000 (2011.11.04)
공개번호/일자 10-2011-0116636 (2011.10.26) 문서열기
공고번호/일자 (20111111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변동진 대한민국 서울특별시 강남구
2 김상일 대한민국 서울특별시 노원구
3 김범준 대한민국 서울특별시 송파구
4 장삼석 대한민국 서울특별시 동대문구
5 박지훈 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0250281-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0060814-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0403110-29
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0694600-90
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0694614-28
8 등록결정서
Decision to grant
2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0636711-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와 상기 에피택셜층을 형성하는 단계는 인시튜(in-situ)로 수행하는 것을 특징으로 하는 에피택셜층 형성방법
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제5항에 있어서,상기 에피택셜층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판과 상기 에피택셜층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜층 형성방법
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제5항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴의 탄화는, 수소, 질소 및 불활성 가스 중 적어도 하나의 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 에피택셜층 형성방법
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제5항에 있어서,상기 에피택셜층은 질화갈륨계 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 에피택셜층 형성방법
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제9항에 있어서,상기 에피택셜층은 발광소자의 활성층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 에피택셜층 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 (주)LG이노텍 2단계BK21산업체대응 차세대 고휘도 LED를 위한 저결함 질화물 성장에 관한 연구