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나노 결정 실리콘의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131075
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate(TEOS)를 사용하여 형성한 실리콘 산화막을 비교적 낮은 온도에서 열처리하여 나노 결정 실리콘을 형성할 수 있는 나노 실리콘의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 결정 실리콘의 제조 방법은 실리콘 기판 상에 Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate(TEOS) 가스와 산소 가스를 사용하여 실리콘 산화막을 형성하는 단계 및 실리콘 산화막을 400 ℃ ~ 900 ℃로 열처리하여 나노 결정 실리콘을 형성하는 단계를 포함한다.나노 결정 실리콘, TEOS, 열처리
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01)
출원번호/일자 1020050102962 (2005.10.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0737829-0000 (2007.07.04)
공개번호/일자 10-2007-0046355 (2007.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20070712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.31)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 최원철 대한민국 서울시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울 성북구
2 (주)루미온텍 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-0623719-74
2 보정요구서
Request for Amendment		 2005.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0114822-67
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2005-0717195-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0677000-46
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0042032-79
6 의견서
Written Opinion		 2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0135102-25
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0135164-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0352676-35
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0040412-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate(TEOS) 가스와 산소 가스를 사용하여 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 산화막을 400 ℃ ~ 900 ℃ 로 열처리하여 나노 결정 실리콘을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 결정 실리콘의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 나노 결정 실리콘을 형성하는 단계에서,상기 실리콘 산화막은 급속 할로겐 램프 가열(Rapid Halogen Lamp Heating) 공정으로 1 분 ~ 60 분 동안 열처리되는 것을 특징으로 하는 나노 결정 실리콘의 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 나노 결정 실리콘을 형성하는 단계에서,상기 실리콘 산화막은 질소 분위기에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 나노 결정 실리콘의 제조 방법
4 4
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.