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나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한기판의 전처리방법 및 이를 이용한 다이아몬드 박막증착방법

  • 기술번호 : KST2014000659
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 다이아몬드 박막 증착방법이 제공된다. 본 발명에 따른 나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 기판의 전처리방법은 (a) 나노 다이아몬드 입자의 표면을 상기 나노 다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 고분자로 코팅하는 단계; (b) 기판의 표면을 상기 기판의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 고분자로 표면처리하는 단계; 및 (c) 상기에서 코팅된 나노 다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 표면처리된 기판을 침지시켜 상기 나노 다이아몬드 입자가 정전하에 의한 자기조립을 통해 기판에 증착됨으로써 다이아몬드 박막 증착시 증착핵으로 작용하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 표면 평활도가 매우 우수한 100nm 이하의 다이아몬드 박막을 제조할 수 있고, 100nm 이상의 다이아몬드 박막의 경우에도 기판에 물리적 충격 또는 잔류응력의 문제없이 균일한 다이아몬드 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/208 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC C23C 16/02(2013.01) C23C 16/02(2013.01) C23C 16/02(2013.01) C23C 16/02(2013.01)
출원번호/일자 1020070141892 (2007.12.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0956407-0000 (2010.04.28)
공개번호/일자 10-2008-0063227 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100506) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060139228   |   2006.12.31
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임대순 대한민국 서울 성북구
2 김종훈 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0951957-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0068196-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0417880-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0750784-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0750782-24
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0203395-07
10 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0204046-56
11 등록결정서
Decision to grant
2010.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0156703-21
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 나노 다이아몬드 입자의 표면을 상기 나노 다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 고분자로 코팅하는 단계; (b) 기판의 표면을 상기 기판의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 고분자로 표면처리하는 단계; 및 (c) 상기에서 코팅된 나노 다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 표면처리된 기판을 침지시켜 상기 나노 다이아몬드 입자가 정전하에 의한 자기조립을 통해 기판에 증착됨으로써 다이아몬드 박막 증착시 증착핵으로 작용하도록 하는 단계를 포함하되; 상기 (a)단계의 고분자의 극성과 (b)단계의 고분자의 극성이 같은 경우에는 상기 (b)단계 이후에 상기 (b)단계에 의해 처리된 기판의 표면을 상기 (b)단계의 고분자의 극성과 반대되는 극성을 갖는 고분자로 표면처리하는 단계를 포함하는 나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 기판의 전처리방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (a)단계 및 (b)단계의 고분자는 PSS(폴리(스티렌 설포네이트)), 폴리 S-119, 폴리아닐린, 나피온, 및 PDDA(폴리(디-메틸디알릴암모늄클로라이드))로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 기판의 전처리방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노 다이아몬드 입자의 평균입도는 5∼500nm인 것을 특징으로 하는 나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 기판의 전처리방법
5 5
(a) 나노 다이아몬드 입자의 표면을 상기 나노 다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 고분자로 코팅하는 단계; (b) 기판의 표면을 상기 기판의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 고분자로 표면처리하는 단계; (c) 상기에서 코팅된 나노 다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 표면처리된 기판을 침지시켜 상기 나노 다이아몬드 입자가 정전하에 의한 자기조립을 통해 기판에 증착됨으로써 다이아몬드 박막 증착시 증착핵으로 작용하도록 하는 단계; 및 (d) 상기 처리된 기판을 사용하고 화학기상증착법을 이용하여 다이아몬드 박막을 상기 기판 상에 증착시키는 단계를 포함하되; 상기 (a)단계의 고분자의 극성과 (b)단계의 고분자의 극성이 같은 경우에는 상기 (b)단계 이후에 상기 (b)단계에 의해 처리된 기판의 표면을 상기 (b)단계의 고분자의 극성과 반대되는 극성을 갖는 고분자로 표면처리하는 단계를 포함하는 다이아몬드 박막 증착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.