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트렌치를 이용한 수직 전극 구조, 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132204
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트렌치를 이용한 수직 전극 구조, 및 그 제조 방법이 개시된다. 트렌치를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법은 반도체 기판의 미리 설정된 영역에 트렌치를 형성하는 단계, 및 트렌치의 내부, 및 외부의 미리 설정된 영역에 각각 전극층을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같이, 트렌치를 이용하여 전극 구조의 수직화를 이룩함으로써, 빠른 공정 시간과 저렴한 공정 비용으로도 수백 nm 이하 크기의 전극 구조를 형성할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100104029 (2010.10.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1147314-0000 (2012.05.11)
공개번호/일자 10-2012-0042359 (2012.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김규태 대한민국 경기도 광명시 가림일로 **,
2 박소정 대한민국 서울특별시 성북구
3 전대영 대한민국 서울특별시 성북구
4 김윤정 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0688589-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0066975-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0562306-11
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0945990-91
6 보정요구서
Request for Amendment		 2011.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0114436-43
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1038542-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1038577-41
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0969154-00
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0272053-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
반도체 기판의 미리 설정된 영역에 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 트렌치가 형성된 기판상에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법으로서,상기 트렌치 내부에 형성되는 전극층의 상부를 상기 트렌치 외부의 기판면보다 낮게 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 전극층은 증착 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 증착 공정은 상기 기판을 미리 설정된 방향으로 기울인 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 전극층은 절연층으로 서로 분리된 복수의 전극층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 기판상에 미리 설정된 액상 물질을 도포하고 경화시키는 단계; 및상기 기판으로부터 상기 전극층이 전사된 상기 경화된 물질을 상기 기판에서 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 물질은 폴리다이메틸실록산(PDMS)인 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법
7 7
반도체 기판의 미리 설정된 영역에 형성된 트렌치; 및상기 트렌치가 형성된 기판상에 형성된 전극층을 포함하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조로서,상기 트렌치 내부에 형성되는 전극층의 상부가 상기 트렌치 외부의 기판면보다 낮게 형성된 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조
8 8
제 7항에 있어서,상기 전극층은 상기 트렌치의 측벽에 대해 미리 설정된 각도만큼 기울어지도록 형성된 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조
9 9
제 7항에 있어서,상기 전극층은 절연층으로 서로 분리된 복수의 전극층으로 형성된 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 수직 전극 구조
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1 US20120098144 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012098144 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한국화학연구원 원천기술개발사업 유무기 나노재료의 복합체 소자 구현기술개발(총괄과제명:분자제어 NIT 융복합 소자기술개발
2 한국과학재단 고려대학교 산학협력단 세계적수준의연구중심대학육성사업 플렉서블 나노시스템 기반기술