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1
기판;
상기 기판의 상부에 증착되는 게이트 전극;
상기 게이트 전극 표면에 형성된 절연층;
상기 절연층의 표면 일측에 형성된 제1 전극;
상기 절연층의 표면 다른 일측에 형성된 제2 전극; 및
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 연결되고, 유기 발광 고분자 나노 물질에 무기 금속 나노 입자가 흡착되어 형성된 하이브리드 나노 구조체
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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2
제1항에 있어서,
상기 하이브리드 나노 구조체는,
다공성 템플레이트에서 성장된 상기 유기 발광 고분자 나노 물질에 상기 무기 금속 나노 입자를 흡착하여 형성된 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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3
제2항에 있어서,
상기 다공성 템플레이트는
알루미늄 판 또는 알루미늄 막을 양극산화 처리(Anodization)하여 형성된 다공성 양극산화 알루미늄 템플레이트(PAO, Porous Anodic Oxide)인 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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4
제1항에 있어서,
상기 유기 발광 고분자 나노 물질은 단량체, 도펀트, 및 유기 용매를 포함하는 용액으로부터 전기화학적 합성(electrochemical polymerization) 또는 화학적 합성(chemical polymerization)으로 생성되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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5
제4항에 있어서,
상기 단량체는 티오펜(thiophene), 3-메틸티오펜(3-methylthiophene), 3-부틸티오펜(3-butylthiophene), 3-헥실티오펜(3-hexylthiophene), 3-옥틸티오펜(3-octylthiophene), 및 3-도데실티오펜(3-dodecylthiophene) 중에서 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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6
제4항에 있어서,
상기 도펀트는,
캄포설폰산, 벤젠설폰산, p-도데실벤젠설폰산, HCl 및 p-톨루엔설폰산, 폴리(4-스티렌설포네이트), 나프탈렌설폰산, 테트라부틸암모늄, 헥사플루오로포스페이트, 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 및 1-부틸-3-메틸이미다졸리움헥사플루오로포스페이트, 및 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트 중에서 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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7
제1항에 있어서,
상기 무기 금속 나노 입자는 상기 유기 발광 고분자 나노 물질의 밴드갭에 상응하는 크기의 표면 플라즈몬 에너지 준위를 갖는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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8
제1항에 있어서,
상기 무기 금속 나노 입자는 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 및 알루미늄(Al) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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9
제1항에 있어서,
상기 무기 금속 나노 입자는 2~5nm의 직경을 갖고, 무기 금속 나노 입자들은 1~5nm 사이의 간격으로 상기 유기 발광 고분자 나노 물질에 흡착되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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10
기판;
상기 기판의 표면 일측에 형성된 제1 전극;
상기 기판의 표면 다른 일측에 형성된 제2 전극 - 상기 제2전극은 상기 제1전극과 일함수가 상이함 -; 및
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 연결되고, 유기 발광 고분자 나노 물질에 무기 금속 나노 입자가 흡착되어 형성된 하이브리드 나노 구조체
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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11
기판을 형성하는 단계;
상기 기판의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극의 상부 표면에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층의 표면 일측에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 절연층의 다른 일측에 형성된 제2 전극을 형성하는 단계; 및
유기 발광 고분자 나노 물질에 무기 금속 나노 입자를 흡착하여 하이브리드 나노 구조체를 제조하는 단계; 및
상기 제조된 하이브리드 나노 구조체를 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하도록 장착하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법
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12
제11항에 있어서,
상기 하이브리드 나노 구조체를 제조하는 상기 단계는,
상기 유기 발광 고분자 나노 물질을 제작하는 단계;
상기 무기 금속 나노 입자를 제작하는 단계; 및
상기 제작된 무기 금속 나노 입자를 상기 제작된 유기 발광 고분자 나노 물질에 흡착하여 상기 하이브리드 나노 구조체를 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법
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13
제12항에 있어서,
상기 유기 발광 고분자 나노 물질은 소수성(hydrophobicicity)이고,
상기 하이브리드 나노 구조체를 형성하는 상기 단계는,
상기 무기 금속 나노 입자에 작용기를 치환하여 친수성(hydrophilicity)의 상기 무기 금속 나노 입자를 소수성(hydrophobicicity)으로 가공하여, 소수성의 상기 무기 금속 나노 입자를 상기 유기 발광 고분자 나노 물질에 흡착하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법
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