맞춤기술찾기

이전대상기술

인광 화합물 및 이를 이용한 유기발광다이오드소자

  • 기술번호 : KST2015134463
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 인광 화합물을 제공한다. 하기 화학식으로 표시되는 인광 화합물. 여기서, X1, X2, Y1, Y2, Z1, Z2 각각은 독립적으로 탄소(carbon) 또는 질소(nitrogen)이며 이중 적어도 하나는 질소이고, R1, R2, R3, R4 각각은 독립적으로 수소, 중수소, C1~C13으로 구성된 방향족 화합물과 헤테로 방향족 화합물, 실리콘 화합물, phosphoryl 화합물 및 이들의 치환체로부터 선택된다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0072(2013.01)H01L 51/0072(2013.01)H01L 51/0072(2013.01)H01L 51/0072(2013.01)
출원번호/일자 1020120134297 (2012.11.26)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2033480-0000 (2019.10.11)
공개번호/일자 10-2014-0067263 (2014.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20191017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.16)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김중근 대한민국 서울 서초구
2 주성훈 대한민국 경기 파주시 청석로 ***, *
3 송인범 대한민국 서울 강서구
4 빈종관 대한민국 경기 파주
5 양중환 대한민국 경기 광명시 디지털로 **,
6 배숙영 대한민국 서울 송파구
7 유영주 대한민국 부산 금정구
8 최동훈 대한민국 서울 성북구
9 신지철 대한민국 서울 강북구
10 이태완 대한민국 서울 동대문구
11 김선재 대한민국 경기 고양시 덕양구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0972811-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1139682-46
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0097497-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0287805-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0287806-49
8 등록결정서
Decision to grant
2019.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0528189-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식으로 표시되는 인광 화합물
2 2
제 1 항에 있어서,상기 R1, R2, R3, R4 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 페닐 (phenyl), 카바졸(carbazole), 디벤조티오펜 (dibenzothiophene), 디벤조퓨란 (dibenzofuran), 테트라페닐실란 (tetraphenylsilane), 피리딘(pyridine), 퀴놀린(quinoline), 아이소퀴놀린(isoquinoline), 피리미딘(pyrimidine), 디페닐포스핀옥사이드(diphenyl phosphine oxide) 및 이들의 치환체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 인광 화합물
3 3
제 1 항에 있어서,상기 R1, R2, R3, R4 중 적어도 하나는 중수소, 방향족 화합물, 헤테로 방향족 화합물, 실리콘 화합물, phosphoryl 화합물 및 이들의 치환체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 인광 화합물
4 4
제 1 전극과;상기 제 1 전극과 마주보는 제 2 전극과;상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 발광물질층과;상기 제 1 전극과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공 수송층과;상기 제 2 전극과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 전자 수송층을 포함하고,상기 발광물질층, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식으로 표시되는 인광 화합물을 포함하여 이루어지는 것이 특징인 유기발광다이오드소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 R1, R2, R3, R4 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 페닐 (phenyl), 카바졸(carbazole), 디벤조티오펜 (dibenzothiophene), 디벤조퓨란 (dibenzofuran), 테트라페닐실란 (tetraphenylsilane), 피리딘(pyridine), 퀴놀린(quinoline), 아이소퀴놀린(isoquinoline), 피리미딘(pyrimidine), 디페닐포스핀옥사이드(diphenyl phosphine oxide) 및 이들의 치환체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드소자
6 6
제 4 항에 있어서,상기 R1, R2, R3, R4 중 적어도 하나는 중수소, 방향족 화합물, 헤테로 방향족 화합물, 실리콘 화합물, phosphoryl 화합물 및 이들의 치환체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 인광 화합물은 하기 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인광 화합물
8 8
제 4 항에 있어서,상기 인광 화합물은 하기 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드소자
9 9
하기 화학식으로 표시되는 인광 화합물
10 10
제9항에 있어서,상기 인광 화합물은 하기 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인광 화합물
11 11
제 1 전극과;상기 제 1 전극과 마주보는 제 2 전극과;상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 발광물질층과;상기 제 1 전극과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공 수송층과;상기 제 2 전극과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 전자 수송층을 포함하고,상기 발광물질층, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층 중 적어도 어느 하나는 제9항 또는 제10항의 인광 화합물을 포함하여 이루어지는 것이 특징인 유기발광다이오드소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.