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하기 화학식1로 표시되며, Ar1은 질소 원소를 포함하는 C12~C60의 헤테로아릴기이고, Ar2는 C6~C30의 아릴기이며, R은 C1~C10의 알킬기인 유기 화합물
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제 1 항에 있어서, Ar1은 하기 화학식2에서 선택되고,R1, R2, R5 내지 R8 각각은 독립적으로 수소, 카바졸기, 아릴아민기로부터 선택되며, R3 및 R4 각각은 독립적으로 C1~C10의 알킬기, C6 내지 C30의 아릴기로부터 선택되거나 서로 결합되어 축합환을 이루는 유기 화합물
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식1로 표시되는 유기 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 유기 화합물
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제 1 전극과;상기 제 1 전극과 마주보는 제 2 전극과;상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 발광물질층을 포함하고,상기 제 1 발광물질층은 제 1 항 내지 제 3 항 중 하나의 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 유기 화합물은 제 1 호스트로 이용되고, 상기 제 1 발광물질층은 지연 형광 물질인 제 1 도펀트를 더 포함하는 유기발광다이오드
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 호스트의 삼중항 에너지는 상기 제 1 도펀트의 삼중항 에너지보다 큰 유기발광다이오드
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 호스트의 최고준위 점유 분자궤도 레벨(HOMOHost)과 상기 제 1 도펀트의 최고준위 점유 분자궤도 레벨(HOMODopant) 차이(|HOMOHost-HOMODopant|) 또는 상기 호스트의 최저준위 비점유 분자궤도 레벨(LUMOHost)과 상기 제 1 도펀트의 최저준위 비점유 분자궤도 레벨(LUMODopant) 차이(|LUMOHost- LUMODopant|)는 0
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8
제 5 항에 있어서,상기 제 1 발광물질층은 형광 물질인 제 2 도펀트를 더 포함하며,상기 제 1 도펀트의 단일항 에너지는 제 2 도펀트의 단일항 에너지보다 큰 유기발광다이오드
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제 8 항에 있어서,상기 제 1 도펀트의 제 1 삼중항 에너지는 상기 제 1 호스트의 제 2 삼중항 에너지보다 작고 상기 제 2 도펀트의 제 3 삼중항 에너지보다 큰 유기발광다이오드
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제 8 항에 있어서,제 2 호스트와 형광 물질인 제 2 도펀트를 포함하며 상기 제 1 전극과 상기 제 1 발광물질층 사이에 위치하는 제 2 발광물질층을 더 포함하는 유기발광다이오드
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11
제 10 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 발광물질층 사이에 위치하는 전자차단층을 더 포함하고, 상기 제 2 호스트는 상기 전자차단층의 물질과 동일한 유기발광다이오드
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제 10 항에 있어서,제 3 호스트와 형광 물질인 제 3 도펀트를 포함하며 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 3 발광물질층을 더 포함하는 유기발광다이오드
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13
제 12 항에 있어서,상기 제 2 전극과 상기 제 3 발광물질층 사이에 위치하는 정공차단층을 더 포함하고, 상기 제 3 호스트는 상기 정공차단층의 물질과 동일한 유기발광다이오드
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 도펀트의 단일항 에너지는 상기 제 2 및 제 3 도펀트의 단일항 에너지보다 큰 유기발광다이오드
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 호스트의 단일항 에너지와 삼중항 에너지 각각은 상기 제 1 도펀트의 단일항 에너지와 삼중항 에너지보다 크고, 상기 제 2 호스트의 단일항 에너지는 상기 제 2 도펀트의 단일항 에너지보다 크며,상기 제 3 호스트의 단일항 에너지는 상기 제 3 도펀트의 단일항 에너지보다 큰 유기발광다이오드
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 도펀트의 단일항 에너지는 상기 제 2 도펀트의 단일항 에너지보다 큰 유기발광다이오드
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기판과;상기 기판 상부에 위치하는 제 4 항의 유기발광다이오드와;상기 기판과 상기 유기발광다이오드 사이에 위치하며 상기 유기발광다이오드에 연결되는 박막트랜지스터를 포함하는 유기발광 표시장치
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