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나노임프린팅 리소그라피를 이용한 비휘발성 자기저항메모리 장치 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133951
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노임프린팅 리소그라피(nanoimprinting lithography)를 이용한 비휘발성 자기저항 메모리 소자(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 자기저항 메모리 장치의 제조방법은 소정의 구조물이 구비된 기판 상부에 복수의 디지트라인을 형성하는 단계; 상기 디지트라인을 포함하는 결과물 상에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간절연막 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 자기터널접합 셀을 형성하는 단계 및 상기 자기터널접합 셀 상부면에 접하도록 복수의 비트라인을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 디지트라인을 형성하는 단계, 상기 하부전극을 형성하는 단계, 상기 자기터널접합 셀을 형성하는 단계 및 상기 비트라인을 형성하는 단계는 나노임프린팅 리소그라피 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하며, 이를 통하여 자기저항 메모리 장치를 구성하는 각각의 자기터널접합 셀간의 면적을 동일하게 형성하여 자기저항 메모리 장치의 동작특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.나노임프린팅 리소그라피, 자기터널접합, 자기저항 메모리 장치
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 27/115 (2011.01)
CPC H01L 27/222(2013.01) H01L 27/222(2013.01) H01L 27/222(2013.01)
출원번호/일자 1020070104613 (2007.10.17)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0039145 (2009.04.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 종로구
2 권재홍 대한민국 서울특별시 성북구
3 서정훈 대한민국 서울 마포구
4 신상일 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0743375-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028215-97
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0447018-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0714194-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0714195-65
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0619857-77
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.01.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0000774-18
10 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2009.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0106067-61
11 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2009.04.23 수리 (Accepted) 7-8-2009-0013734-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 구조물이 구비된 기판 상부에 복수의 디지트라인을 형성하는 단계;상기 디지트라인을 포함하는 결과물 상에 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간절연막 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 자기터널접합 셀을 형성하는 단계; 및상기 자기터널접합 셀 상부면에 접하도록 복수의 비트라인을 형성하는 단계를 포함하고,상기 디지트라인을 형성하는 단계, 상기 하부전극을 형성하는 단계, 상기 자기터널접합 셀을 형성하는 단계 및 상기 비트라인을 형성하는 단계는 나노임프린팅 리소그라피 공정을 이용하여 형성하는 자기저항 메모리 장치의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 나노임프린팅 리소그라피 공정은 열경화방식 또는 자외선경화방식을 포함하는 자기저항 메모리 장치의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 나노임프린팅 리소그라피 공정은 스탭앤리피트(step and repeat) 방식을 포함하는 자기저항 메모리 장치의 제조방법
4 4
제3에 있어서,상기 나노임프린팅 리소그라피 공정은 상기 자외선경화방식과 상기 스탭앤리피트 방식이 결합된 스탭앤플래시(step and flash) 방식을 포함하는 자기저항 메모리 장치의 제조방법
5 5
소정의 구조물이 구비된 기판 상부에 피닝층, 고정층, 절연층 및 자유층을 형성하는 단계; 및나노임프린팅 리소그라피 공정을 이용하여 상기 자유층, 절연층, 고정층 및 피닝층을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 자기터널접합 셀의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 절연층은 스핀코팅법을 사용하여 형성하는 자기터널접합 셀 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 절연층은 드랍캐스팅법 또는 닥터블레이드법을 사용하여 형성하는 자기터널접합 셀 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 나노임프린팅 리소그라피 공정은 열경화방식 또는 자외선경화방식을 포함하는 자기저항 메모리 장치의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 나노임프린팅 리소그라피 공정은 스탭앤리피트 방식을 포함하는 자기저항 메모리 장치의 제조방법
10 10
제9에 있어서,상기 나노임프린팅 리소그라피 공정은 상기 자외선경화방식과 상기 스탭앤리피트 방식이 결합된 스탭앤플래시 방식을 포함하는 자기저항 메모리 장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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