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기판상에 반도체물질로 형성된 활성층;
상기 활성층의 양측에 접하며 금속화합물로 형성된 소스 및 드레인 전극;
상기 활성층 상에 형성된 게이트절연막; 및
상기 게이트절연막 상에 상기 활성층에 대응되도록 형성된 게이트전극을 포함하고,
상기 활성층, 상기 게이트전극, 상기 게이트절연막, 상기 소스 및 드레인 전극이 투광소재로 형성된 투명 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 게이트전극을 포함하는 결과물 전면에 형성된 보호막; 및
상기 보호막 상에 상기 보호막을 관통하는 콘택홀을 통하여 상기 게이트전극, 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 형성된 콘택층을 더 포함하고,
상기 보호막 및 상기 콘택층은 투광소재로 형성된 투명 박막 트랜지스터
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3
제1항에 있어서,
상기 게이트전극은 PEDOT-PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-(poly(styrenesulfonate)을 포함하는 투명 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,
상기 게이트절연막과 상기 보호막은 무기절연막 또는 유기절연막을 포함하는 투명 박막 트랜지스터
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제4항에 있어서,
상기 무기절연막은 SOG(Spin On Glass)막 또는 SOD(Spin On Dielectric)막을 포함하는 투명 박막 트랜지스터
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6
제4항에 있어서,
상기 유기절연막은 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리비닐클로라이드(PVC), 벤조사이틀로부텐(BCB) 폴리비닐알코올(PVA) 및 폴리비닐페놀(PVP) 및 사이클로펜텐(CyPe)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 투명 박막 트랜지스터
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7
제1항에 있어서,
상기 반도체물질은 밴드갭이 3
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제1항에 있어서,
상기 반도체물질은 ZnO, IGZO, ZnSnO3, ZnSnO4, ZnInO, (Zn, Mg)O, SnO2, CdSnO, GaSnO, TlSnO, InGaZnO, CuAlO, SrCuO, LaCuOS, GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlN, SiC 및 다이아몬드(diamond)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 투명 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 소스 및 드레인 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), AZO(Al doped zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide) 및 반투명금속막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 투명 박막 트랜지스터
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기판상에 반도체물질을 이용하여 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 양측에 접하도록 금속화합물을 이용하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 활성층 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 및
상기 게이트절연막 상에 상기 활성층에 대응하도록 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 활성층, 상기 게이트전극, 상기 게이트절연막, 상기 소스 및 드레인 전극을 투광소재로 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 게이트전극을 포함하는 결과물 전면에 보호막을 형성하는 단계;
상기 보호막을 선택적으로 식각하여 상기 게이트전극, 상기 소스 및 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및
상기 콘택홀을 매립하여 상기 게이트전극, 상기 소스 및 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 콘택층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 보호막 및 상기 콘택층은 투광소재로 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 활성층, 상기 게이트절연막, 상기 게이트전극 및 상기 보호막은 스핀코팅법(spin coating)으로 형성하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 활성층, 상기 게이트절연막, 상기 게이트전극 및 상기 보호막은 슬릿코팅법(slit coating), 드럽캐스팅법(drop casting), 딥케스팅법(dip casting), 잉크젯법(ink jet), 프린팅법(printing) 및 임프린트법(imprint)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 게이트전극은 PEDOT-PSS로 형성하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 게이트절연막과 상기 보호막은 무기절연막 또는 유기절연막으로 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조방법
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제15항에 있어서,
상기 무기절연막은 SOG막 또는 SOD막으로 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조방법
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제15항에 있어서,
상기 유기절연막은 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리비닐클로라이드(PVC), 벤조사이틀로부텐(BCB), 폴리비닐알코올(PVA) 및 폴리비닐페놀(PVP) 및 사이클로펜텐(CyPe)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 반도체물질은 밴드갭이 3
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제10항에 있어서,
반도체물질은 ZnO, IGZO, ZnSnO3, ZnSnO4, ZnInO, (Zn, Mg)O, SnO2, CdSnO, GaSnO, TlSnO, InGaZnO, CuAlO, SrCuO, LaCuOS, GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlN, SiC 및 다이아몬드(diamond)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 소스 및 드레인 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), AZO(Al doped zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide) 및 반투명금속막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조방법
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