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단결정 기판;상기 단결정 기판 상에 배치된 탄질화막 패턴; 및상기 탄질화막 패턴을 포함한 상기 단결정 기판 상에 형성된 질화 갈륨막을 포함하고,상기 탄질화막 패턴은 포토레지스트 패턴으로부터 탄화 열처리 및 질화 열처리를 통하여 전환된 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물
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제1항에 있어서, 상기 탄질화막 패턴은 상기 단결정 기판의 상부 표면으로부터 측정되고 0
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제1항에 있어서, 상기 질화 갈륨막은 상기 단결정 기판을 시드막으로 성장된 에피택셜 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물
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제1항에 있어서, 상기 단결정 기판은 사파이어 단결정 기판, 실리콘 단결정 기판 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물
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단결정 기판을 준비하는 단계;상기 단결정 기판 상에 탄질화막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 탄질화막 패턴을 포함한 상기 단결정 기판 상에 질화 갈륨막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 단결정 기판 상에 상기 탄질화막 패턴을 형성하는 단계는,상기 단결정 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴에 탄화 열처리 공정을 수행하여 탄화된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 탄화된 포토레지스트 패턴에 대하여 질화 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 탄화 열처리 공정 및 상기 질화 열처리 공정은 인시튜로 수행되는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 탄화 열처리 공정 및 상기 질화 열처리 공정은 50 내지 780 torr의 압력 조건 및 100 내지 1250 ℃의 온도 조건에 수행되는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 탄화 열처리 공정 및 상기 질화 열처리 공정은 수소, 질소, 아르곤, 네온, 헬륨 및 산소 중 적어도 하나를 분위기 가스로 이용하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 탄화된 포토레지스트 패턴에 대하여 질화 열처리 공정은 상기 탄화된 포토레지스트 패턴보다 폭 기준으로 확장된 탄질화막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 질화 갈륨막은 MOCVD(Metal Organic Chemical VaporDeposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), ALD(Atomic Layer Deposition) 중 적어도 하나의 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 구조물의 제조 방법
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