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자기 공명 세차 현상을 이용한 스핀전달토크 자기 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015134304
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 메모리 소자에 관한 것으로서, 고정 자성층, 제1 비자성층, 제1 자유자성층, 제2 비자성층 및 제2 자유 자성층을 포함하고, 상기 고정 자성층은 고정 자화 방향을 갖고, 막면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 제1 자유 자성층은 외부에서 인가되는 전류에 의해서 자화 방향이 변하고, 막면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 제2 자유 자성층은 외부에서 인가되는 전류에 의해서 자화 방향이 변하고, 막면에 대하여 수평 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 수평 방향으로 자화되는 물질의 포화 자화값이 300-2000 emu/㎤ 인 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 새로운 구조의 자기 메모리 소자는 일정한 MS값을 가지고, 수평 이방성을 갖는 자유층 삽입하여, 종래 구조의 자기 메모리 소자에 비해 스위칭 전류가 현저히 감소하여 고집적화 소자의 구현이 가능하고, 자유층의 자화반전 임계 전류밀도를 낮추어 기록시 사용되는 전력을 저감시킬 수 있다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110044587 (2011.05.12)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1195041-0000 (2012.10.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.12)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경진 대한민국 서울특별시 성북구
2 서수만 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0351265-97
2 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0599411-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고정 자성층; 제1 비자성층; 제1 자유자성층; 제2 비자성층; 및 제2 자유 자성층;을 포함하고,상기 고정 자성층은 고정 자화 방향을 갖고, 막면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며,상기 제1 자유 자성층은 외부에서 인가되는 전류에 의해서 자화 방향이 변하고, 막면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며,상기 제2 자유 자성층은 외부에서 인가되는 전류에 의해서 자화 방향이 변하고, 막면에 대하여 수평 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 수평 방향으로 자화되는 물질의 포화 자화값이 300-2000 emu/㎤ 인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서상기 고정 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 고정 자성층은 (X/Y)n (n003e#=1)의 다층박막 구조이고, 상기 X 및 Y는 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt 및 Pd 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 고정 자성층은 제1 자성층; 비자성층 및 제2 자성층으로 이루어진 반자성체구조로서,상기 제1 자성층 및 제2 자성층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지며,상기 비자성층은 Ru, Cu 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제1 자성층 및 제2 자성층 중 적어도 하나 이상은 (X/Y)n (n≥1)의 다층박막 구조이고, 상기 X 및 Y는 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt 및 Pd중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 고정 자성층은 반강자성층; 제1 자성층; 비자성층; 및 제2 자성층으로 이루어진 교환바이어스된 반자성체구조로서,상기 반강자성층은 Ir, Pt, Mn 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지고,상기 제1 자성층 및 제2 자성층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지며,상기 비자성층은 Ru, Cu 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제1 자성층 및 제2 자성층은 중 적어도 하나 이상은 (X/Y)n (n≥1)의 다층박막 구조이고, 상기 X 및 Y는 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt 및 Pd 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제1 자유 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제1 자유 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 층 및 (X/Y)n (n≥1) 층으로 이루어진 다층박막 구조이고, 상기 X 및 Y는 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt 및 Pd 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제2 자유 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제1 비자성층 및 제2 비자성층은 서로 상이한 물질로 이루어지고, 각각 독립적으로 Ru, Cu, Al, Ta, Au, Ag, AlOx, MgO, TaOx, ZrOx 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
12 12
제 1 항에 있어서,상기 제1 비자성층 및 제2 비자성층은 상기 고정 자성층, 제1 자유 자성층 및 제2 자유 자성층보다 전기전도도가 높은 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
13 13
제 1 항에 있어서,상기 제1 비자성층 및 제2 비자성층은 상기 고정 자성층, 제1 자유 자성층 및 제2 자유 자성층보다 전기전도도가 낮은 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
14 14
제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 자기 메모리 소자 및 상기 자기 메모리 소자에 전류를 공급하는 상부 전극과 하부 전극을 포함하는 자기 메모리
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06028018 JP 일본 FAMILY
2 JP26517516 JP 일본 FAMILY
3 US09478729 US 미국 FAMILY
4 US20140159175 US 미국 FAMILY
5 US20150340595 US 미국 FAMILY
6 WO2012153926 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2012153926 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2014517516 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6028018 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2014159175 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2015340595 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2012153926 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2012153926 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술평가관리원 한양대학교 산업원천기술개발사업 수직자화 STT-MRAM 구동 모델링 및 셀 최적화 기술개발