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전계제어장치를 구비한 열선 화학기상 증착장치 및 그를 이용한 박막 제조방법
- 기술번호 : KST2015135182
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 전계제어장치를 구비한 열선 화학기상 증착장치 및 그를 이용한 박막 제조방법이 개시된다. 개시된 열선 화학기상 증착장치는 기판에 제1바이어스 전압을 인가하는 제1바이어스 전압 인가부와, 반응가스를 해리시키는 열을 방출하는 열선과, 상기 열선에 제2바이어스 전압을 인가하는 제2바이어스 전압 인가부를 구비한다. |
|---|---|
| Int. CL | C23C 16/455 (2006.01.01) |
| CPC | C23C 16/455(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090068415 (2009.07.27) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1564331-0000 (2015.10.23) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0011003 (2011.02.08) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20151030) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.05.29) |
| 심사청구항수 | 9 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박영준 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 황농문 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 3 | 정용빈 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 4 | 양승민 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 5 | 박순영 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.07.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0458464-48 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2009.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0053920-17 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0509260-16 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.05.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0511051-46 |
| 8 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2015.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 9 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2015.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0015899-22 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.05.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0358368-94 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0680957-49 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.07.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0680958-95 |
| 15 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0515786-59 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 내부에 기판이 장착되는 챔버;상기 기판에 제1바이어스 전압을 인가하는 제1바이어스 전압 인가부;상기 챔버에 반응개스를 공급하는 개스공급부;상기 챔버내에 배치되며 상기 반응개스를 해리시키는 열을 방출하는 열선; 상기 열선에 제2바이어스 전압을 인가하는 제2바이어스 전압 인가부; 및상기 제1바이어스 전압 인가부 및 상기 제2바이어스 전압 인가부로부터 공급되는 전압을 제어하는 제어부;를 구비하며, 상기 제어부는 상기 제1 바이어스 전압 및 제2 바이어스 전압에 서로 다른 부호를 가진 전압을 공급하는 열선 화학기상 증착장치 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 열선은 복수의 열선을 구비하며, 상기 복수의 열선은 서로 나란하게 배치되며, 상기 제어부는 인접한 열선이 서로 다른 방향으로 전류가 흐르게 제어하는 열선 화학기상 증착장치 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제1 바이어스 전압 및 제2 바이어스 전압에는 각각 교류전압이 인가되는 열선 화학기상 증착장치 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,제1 바이어스 전압 및 제2 바이어스 전압에는 각각 크기가 다른 양전압과 음전압이 교번적으로 인가되는 열선 화학기상 증착장치 |
| 6 |
6 제1항의 열선 화학기상 증착장치를 이용한 박막제조방법에 있어서, 챔버에 기판을 로딩하는 제1 단계;열선의 온도를 유입되는 반응가스의 해리 온도로 높이는 제2 단계; 상기 챔버에 실리콘 형성용 반응가스를 공급하는 제3 단계; 및상기 기판에 제1바이어스 전압을 공급하고, 상기 열선에 제2바이어스 전압을 공급하는 제4 단계;를 포함하며, 상기 제1바이어스 전압 및 상기 제2바이어스 전압은 서로 다른 극성을 포함하는 박막 제조방법 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 제 6 항에 있어서, 상기 제1바이어스 전압 및 상기 제2바이어스 전압은 각각 교류전압인 박막 제조방법 |
| 9 |
9 제 6 항에 있어서, 상기 제1바이어스 전압 및 상기 제2바이어스 전압은 각각 크기가 다른 양전압과 음전압이 교대로 바뀌는 박막 제조방법 |
| 10 |
10 제 6 항에 있어서, 상기 열선은 복수의 열선을 구비하며, 상기 열선에는 교번적으로 배치된 열선의 전류방향이 다르도록 상기 열선의 양단에 전압이 인가되는 박막 제조방법 |
| 11 |
11 제 6 항에 있어서, 상기 제1바이어스 전압 및 상기 제2바이어스 전압은 크기를 다르게 선택적으로 제어하여 반도체 박막의 증착속도, 균일도 및 입자크기를 조절하여 제조하는 박막 제조방법 |
| 12 |
12 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1564331-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090727 출원 번호 : 1020090068415 공고 연월일 : 20151030 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150801 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 21/205 발명의 명칭 : 전계제어장치를 구비한 열선 화학기상 증착장치 및 그를 이용한 박막 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 396,000 원 | 2015년 10월 26일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 238,000 원 | 2018년 09월 17일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 238,000 원 | 2019년 09월 16일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 238,000 원 | 2020년 09월 21일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.07.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0458464-48 |
| 2 | 보정요구서 | 2009.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0053920-17 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0509260-16 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.05.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0511051-46 |
| 8 | 선행기술조사의뢰서 | 2015.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 9 | 선행기술조사보고서 | 2015.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0015899-22 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 의견제출통지서 | 2015.05.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0358368-94 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0680957-49 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.07.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0680958-95 |
| 15 | 등록결정서 | 2015.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0515786-59 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345099566 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-0052400 |
| 연구과제명 | 전하를띤나노클러스터제어에의한박막성장기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200604~201103 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020090068415] | 전계제어장치를 구비한 열선 화학기상 증착장치 및 그를 이용한 박막 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
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|---|---|---|
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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