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비닐 설폰을 갖는 감광성 공중합체를 반복 단위로서 포함하는 포토레지스트 조성물
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제1항에 있어서, 상기 감광성 공중합체는 하기 구조식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
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제1항에 있어서, 상기 감광성 공중합체는 하기 구조식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
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제1항에 있어서, 상기 감광성 공중합체는 1 내지 60 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
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5
제1항에 있어서, 광산발생제, 염기성 첨가제 및 용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
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6
제5항에 있어서, 상기 광산발생제는 0
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7
제5항에 있어서, 상기 염기성 첨가제는 0
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8
비닐 설폰을 갖는 감광성 공중합체를 반복 단위로서 포함하는 포토레지스트 조성물을 사용하여 식각 대상막 상에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 막에 광을 조사하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각 대상막을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
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제8항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 광산발생제, 염기성 첨가제 및 용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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10
제8항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,노광 마스크를 사용하여 상기 포토레지스트 막을 부분적으로 노광하는 단계;상기 포토레지스트 막을 열처리 하는 단계; 유기 용매를 사용하여 상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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