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제1 금속층;상기 제1 금속층 위에 형성된 유전체층,상기 유전체층 위에 형성되어 있으며, 금속 슬릿이 형성되어 있는 제2 금속층을 포함하고, 상기 제1 금속층, 유전체층, 그리고 제2 금속층에 대응하는 금속-유전-금속의 도파로 내에서, 상기 금속 슬릿으로 입사되는 입사광의 편광 상태에 따라, 제1 파장 대역에 대하여 제1 방향의 단방향 표면 플라즈몬이 여기되고, 제2 파장 대역에 대하여 제2 방향의 단방향 표면 플라즈몬이 여기되며, 상기 제1 방향과 제2 방향은 서로 반대인, 파장 분할 장치
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제1항에 있어서 상기 입사광은, 상기 제1 금속층, 유전체층, 그리고 제2 금속층에 대응하는 3층 박막의 수직 벡터와 상기 금속 슬릿의 방향 벡터가 이루는 평면을 입사면으로 하여, 상기 금속 슬릿으로 입사되는, 파장 분할 장치
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제2항에 있어서 상기 입사광은 전기장 방향이 상기 입사면과 수직한 성분만 존재하는 제1 편광 편광인 TE(transverse electric) 편광과, 자기장이 상기 입사면에 수직한 성분만을 가지는 제2 편광인 TM(transverse magnetic) 편광의 선형 결합으로 이루어지는, 파장 분할 장치
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제3항에 있어서 상기 입사광의 편광 조건이 상기 제1 방향의 표면 플라즈몬 여기를 위하여, 다음의 선형 결합 비율을 만족하는, 파장 분할 장치
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제3항에 있어서 상기 입사광의 편광 조건이 상기 제2 방향의 표면 플라즈몬 여기를 위하여, 다음의 선형 결합 비율을 만족하는, 파장 분할 장치
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제3항에 있어서 서로 다른 두 파장 대역에 대하여, 상기 금속-유전체-금속 도파로에 여기되는 표면 플라즈몬의 세기와 위상 정보를 나타내는 결합 계수의 크기가 다음의 결합 계수의 세기 조건을 만족하는, 파장 분할 장치
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제3항에 있어서 서로 다른 두 파장 대역에 대하여, 상기 금속-유전체-금속 도파로에 여기되는 표면 플라즈몬의 세기와 위상 정보를 나타내는 결합 계수의 위상이 다음의 결합 계수의 위상 조건을 만족하는, 파장 분할 장치
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8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서 상기 금속 슬릿의 너비()는 다음의 조건을 만족하는, 파장 분할 장치
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표면 플라즈몬 파장 분할 방법에서,제1 파장 대역에서는 제1 편광 조건을 만족하도록 입사광의 편광 상태를 조절하는 단계;제2 파장 대역에서는 제2 편광 조건을 만족하도록 입사광의 편광 상태를 조절하는 단계;상기 편광 상태가 조절된 제1 파장 대역의 입사광을, 금속 슬릿이 형성되어 있는 3층 박막 구조로 입사시켜 제1 방향의 단방향 표면 플라즈몬을 여기시키는 단계; 및상기 편광 상태가 조절된 제2 파장 대역의 입사광을, 금속 슬릿이 형성되어 있는 3층 박막 구조로 입사시켜 제2 방향의 단방향 표면 플라즈몬을 여기시키는 단계를 포함하며,상기 입사광은 전기장 방향이 입사면과 수직한 성분만 존재하는 제1 편광 편광인 TE(transverse electric) 편광과, 자기장이 상기 입사면에 수직한 성분만을 가지는 제2 편광인 TM(transverse magnetic) 편광의 선형 결합으로 이루어지는, 파장 분할 방법
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제9항에 있어서 상기 제1 방향의 표면 플라즈몬 여기를 위하여, 상기 제1 편광 조건은 다음의 선형 결합 비율을 만족하는, 파장 분할 방법
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제9항에 있어서 상기 제2 방향의 표면 플라즈몬 여기를 위하여, 상기 제2 편광 조건은 다음의 선형 결합 비율을 만족하는, 파장 분할 방법
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제9항에 있어서 상기 제1 및 제2 파장 대역에 대하여, 금속-유전체-금속 도파로에 여기되는 표면 플라즈몬의 세기와 위상 정보를 나타내는 결합 계수의 크기가 다음의 결합 계수의 세기 조건을 만족하는, 파장 분할 방법
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제12항에 있어서 상기 제1 및 제2 파장 대역에 대하여, 상기 금속-유전체-금속 도파로에 여기되는 표면 플라즈몬의 세기와 위상 정보를 나타내는 결합 계수의 위상이 다음의 결합 계수의 위상 조건을 만족하는, 파장 분할 방법
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제9항에 있어서 상기 금속 슬릿의 너비는 상기 제1 파장 대역에 대하여 공진 조건을 일으키는 너비 조건의 값과, 상기 제2 파장 대역에 대하여 공진 조건을 일으키는 너비 조건의 값 사이의 값을 가지는, 파장 분할 방법
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