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반도체 물질로 형성되는 기판,상기 기판 상에 배치되며 도전성 물질로 형성되는 제 1 전극,상기 제 1 전극 상에 배치되며, 금속원소의 산화물로 형성되는 산화물층, 상기 산화물층 상에 배치되며, 도전성 물질로 형성되는 제 2 전극; 및상기 산화물층 및 상기 제 2 전극 사이에 배치되며, 도전성 산화물로 형성되는 제 3 전극을 포함하는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 규소(Si), 게르마늄(Ge), 또는 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어진 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 인듐(In), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루세늄(Ru), 레늄(Re), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 어느 하나로 형성되거나 둘 이상의 합금으로 형성되거나, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극과 동일한 물질로 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 산화물층은 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 티탄스트론튬산화물(SrTiO3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화하프늄(HfO2), 하프늄실리콘산화물(HfSiO4), 산화란타늄(La2O3), 산화이트륨(Y2O3), 란타늄알루미늄산화물(LaAlO3) 중 선택된 어느 하나로 형성되거나 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층 또는 혼합하여 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극의 일함수(work function)는 상기 제 3 전극의 일함수 보다 큰 물질로 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 3 전극의 두께는 2nm 내지 6nm 로 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 산화물층 및 상기 제 3 전극에 쌍극자가 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 3 전극은 산화루세늄(RuO2), 산화텅스텐(WO2), 산화니켈(NiO), 산화이리듐(IrO2), 산화아연(ZnO), 스트론튬루세늄산화물(SrRuO3), 인듐갈륨아연산화물(IGZO) 및 란타늄니켈산화물(LaNiO3) 중에서 선택된 어느 하나로 형성되거나 둘 이상의 합금으로 형성되거나, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성되는 커패시터 소자
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