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반도체 소자의 스토리지 노드 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015135224
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스토리지 노드의 크기가 균일하게 되는 반도체 소자의 스토리지 노드 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스토리지 노드 형성 방법은 반도체 기판 상에 형성된 제1절연막을 식각하여 스토리지 노드 콘택 홀을 형성하고, 스토리지 노드 콘택 홀에 제1전도성 물질을 매립하여 스토리지 노드 콘택 플러그를 형성한 후, 제1절연막 상에 제2절연막을 형성한다. 그리고 제2절연막 상에 보호막을 형성한 후, 스토리지 노드 콘택 플러그의 표면이 노출되도록 보호막과 제2절연막을 식각하여, x의 폭을 갖는 제1홀을 형성한다. 그리고 제1홀의 내측벽으로부터 제2절연막을 α의 폭만큼 등방성 식각하여, 개구부의 폭이 x이고, 내부의 폭이 x+2α인 제2홀을 형성하고, 제2홀의 개구부가 막히도록 보호막의 상부와 제2홀의 내측벽에 제2전도성 물질을 균일증착하여, 2α의 폭을 가지며 제2전도성 물질로 둘러싸인 공간부를 형성한다. 그리고 공간부가 노출되도록, 공간부의 상부에 형성되어 있는 제2전도성 물질과 보호막을 제거한 후, 공간부에 스토리지 노드를 이루는 제3전도성 물질을 매립하고, 제2절연막의 표면이 노출되도록, 제2절연막의 상부에 형성되어 있는 제3전도성 물질을 제거한다. 그리고 제2절연막을 제거하고, 제3전도성 물질의 측방에 형성되어 있는 제2전도성 물질을 제거한다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/321 (2006.01.01)
CPC H01L 27/10855(2013.01) H01L 27/10855(2013.01) H01L 27/10855(2013.01) H01L 27/10855(2013.01)
출원번호/일자 1020090050432 (2009.06.08)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1036451-0000 (2011.05.17)
공개번호/일자 10-2010-0131706 (2010.12.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0344797-41
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0040841-15
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0383210-22
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0066022-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0058948-68
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0101932-91
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0101915-14
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0234626-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 형성된 제1절연막을 식각하여 스토리지 노드 콘택 홀을 형성하는 단계; 상기 스토리지 노드 콘택 홀에 제1전도성 물질을 매립하여 스토리지 노드 콘택 플러그를 형성하는 단계; 상기 스토리지 노드 콘택 플러그를 포함하여 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 스토리지 노드 콘택 플러그의 표면이 노출되도록 상기 보호막과 제2절연막을 식각하여, x의 폭을 갖는 제1홀을 형성하는 단계; 상기 제1홀의 내측벽으로부터 상기 제2절연막을 α의 폭만큼 식각하여, 개구부의 폭이 x이고, 내부의 폭이 x+2α인 제2홀을 형성하는 단계; 상기 제2홀의 개구부가 막히도록 상기 보호막의 상부와 상기 제2홀의 내측벽에 제2전도성 물질을 원자층증착(atomic layer deposition, ALD)법에 의해 증착하되, 상기 제2홀의 내측벽에 증착되는 제2전도성 물질의 두께가 x/2가 되도록 상기 보호막의 상부에 증착되는 제2전도성 물질의 두께를 x/2 이상으로 증착하여, 상기 제2홀의 내부에 2α의 폭을 가지며 상기 제2전도성 물질로 둘러싸인 공간부를 형성하는 단계; 상기 공간부가 노출되도록, 상기 공간부의 상부에 형성되어 있는 제2전도성 물질과 상기 보호막을 제거하는 단계; 상기 공간부에 스토리지 노드를 이루는 제3전도성 물질을 매립하는 단계; 상기 제2절연막의 표면이 노출되도록, 상기 제2절연막의 상부에 형성되어 있는 제3전도성 물질을 제거하는 단계; 상기 제2절연막을 제거하는 단계; 및 상기 제3전도성 물질의 측방에 형성되어 있는 제2전도성 물질을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막 사이에는 식각정지막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1홀 형성을 위한 상기 보호막과 제2절연막의 식각은 건식식각(dry etching)에 의한 비등방성 식각인 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2홀 형성을 위한 제2절연막의 식각은 습식식각(wet etching)에 의한 등방성 식각인 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 공간부의 상부에 형성되어 있는 제2전도성 물질과 상기 보호막을 제거하는 단계 및 상기 제2절연막의 상부에 형성되어 있는 제3전도성 물질을 제거하는 단계는 식각(etching) 또는 화학적 기계적 연마(chmical mechanical polishing, CMP)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법
8 8
제1항 또는 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2절연막은 SiO2이고, 상기 보호막은 SiN이며, 상기 제2전도성 물질은 TiN 및 TiAlN 중 적어도 하나이고, 상기 제3전도성 물질은 Ru 및 RuO2 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 기술혁신사업 양산성이 우수한 차세대 DRAM 커패시터