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실리콘 습식 식각을 이용한 금속-절연체-금속 캐패시터 및그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015161065
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멀티칩 모듈(MCM-D) 기판에 구현하는 새로운 구조의 금속-절연체-금속(MIM) 캐패시터로서, 003c#100003e# 실리콘 기판상에 금속-절연체-금속 캐패시터를 위한 마스크 패턴을 형성하는 마스크 패턴 단계, 상기 기판을 습식 식각하는 식각 단계, 상기 마스크 패턴을 제어하는 단계 및 상기 식각된 영역에 금속층, 절연막 그리고 금속층을 차례대로 형성하는 박막 형성 단계에 의해 제조된다. MIM 캐패시터, 습식 식각, 실리콘 단결정, 역피라미드형 홈
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 28/82(2013.01) H01L 28/82(2013.01)
출원번호/일자 1020080014683 (2008.02.19)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0948575-0000 (2010.03.12)
공개번호/일자 10-2009-0089495 (2009.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20100318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서광석 대한민국 서울 강남구
2 맹지민 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0121169-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0007708-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0442231-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0773520-63
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0773514-99
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0104496-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
003c#100003e# 실리콘 기판상에 금속-절연체-금속 캐패시터를 위한 마스크 패턴을 형성하는 마스크 패턴 단계; 상기 기판을 습식 식각하는 식각 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 식각된 영역에 금속층, 절연막 그리고 금속층을 차례대로 형성하는 박막 형성 단계;를 포함하며 상기 마스크 패턴은 복수의 사각형 윈도우가 정렬된 그물 형상인 것을 특징으로 하고 상기 식각 단계는 상기 마스크 패턴의 각 사각형 윈도우에 역피라미드 형상의 홈 영역이 형성될 때까지 상기 실리콘 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체-금속 캐패시터 제조 방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 질화막 또는 산화막인 것을 특징으로 하는 금속-절연체-금속 캐패시터 제조 방법
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실리콘 기판에 형성된 적어도 하나 이상의 역피라미드형 홈; 상기 홈 상에 형성된 금속층; 상기 금속층 상의 절연막; 및 상기 절연막 상의 금속층 으로 구성되는 금속-절연체-금속 캐패시터
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 역피라미드형 홈은 각 면이 54
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.