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Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체

  • 기술번호 : KST2015136882
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체가 개시된다. 일 실시 예로서, Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체는 기판 및 상기 기판 위에 완충층이 배치되고 상기 완충층 위에 에어갭(air gap)을 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 1 층이 배치되고, 상기 제 1 층 위에 격자와 공기홀이 주기적으로 배열되는 평행한 창살형 박막 격자 구조를 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 2 층을 포함하여 외부에서 상기 격자 구조에 수직으로 입사하는 입사광 중 상기 격자를 통과하는 제 1 광과 상기 공기홀을 통과하는 제 2 광이 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 구조 표면에서 반사된다.
Int. CL H01L 33/60 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/10 (2010.01.01)
CPC H01L 33/60(2013.01) H01L 33/60(2013.01) H01L 33/60(2013.01) H01L 33/60(2013.01)
출원번호/일자 1020100006793 (2010.01.26)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1061803-0000 (2011.08.29)
공개번호/일자 10-2011-0041969 (2011.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090098666   |   2009.10.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전헌수 대한민국 경기 군포시
2 김재훈 대한민국 서울특별시 강동구
3 김동욱 대한민국 서울특별시 관악구
4 이준희 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 곽현규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 ** A&C빌딩 *층(STN국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0051750-36
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0011907-74
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0116244-03
4 등록결정서
Decision to grant
2011.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0313457-12
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0578757-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 및 상기 기판 위에 완충층이 배치되고 상기 완충층 위에 에어갭(air gap)을 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 1 층이 배치되고, 상기 제 1 층 위에 격자와 공기홀이 주기적으로 배열되는 평행한 창살형 박막 격자 구조를 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 2 층을 포함하여 외부에서 상기 격자 구조에 수직으로 입사하는 입사광 중 상기 격자를 통과하는 제 1 광과 상기 공기홀을 통과하는 제 2 광이 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 구조 표면에서 반사되는 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 완충층은 n타입 GaN층인 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 층은 InxGa1-xN층 및 InyGa1-yN층으로 된 쌍이 적어도 하나인 초격자(superlattice) 구조인 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체(0 003c# x 003c# 1, 0 003c# y 003c# 1, x≠y)
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 층은 AlzGa1-zN층인 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체(0 003c# z 003c# 1)
5 5
제 1 항에 있어서,상기 입사광은 300 nm 내지 600 nm의 파장을 갖는 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 2 층의 두께(t)는 λ/{2(n1 - n0)}인 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체(λ: 진공 중 입사광의 파장, n0: 공기의 굴절률, n1: Ⅲ족 질화물의 굴절률)
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 층의 두께는 100nm 이상 및 300nm 이하인 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체
8 8
제 1 항에 있어서,상기 격자 구조의 주기는 200nm 이상 및 600nm이하인 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체
9 9
제 1 항에 있어서,상기 격자 구조의 채움률은 30% 이상 및 70% 이하인 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체
10 10
제 1 항의 Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체를 포함하는 발광장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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