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서로 마주보고 있는 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 양자점 발광부;상기 양자점 발광부와 제1 전극 사이에 위치하는 전자 수송층;상기 양자점 발광부와 제2 전극 사이에 위치하는 정공 수송층;상기 정공 수송층과 제2 전극 사이에 위치하는 정공 주입층; 및상기 정공 수송층과 정공 주입층 사이에 위치하는 버퍼층;을 포함하고,상기 버퍼층의 HOMO 레벨의 절대값은 상기 정공 수송층의 HOMO 레벨의 절대값보다 높은 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 버퍼층의 HOMO 레벨의 절대값은 상기 정공 수송층의 HOMO 레벨의 절대값보다 0
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제3항에 있어서,상기 정공 수송층은 CBP(4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), PVK(Poly(9-vinylcarbazole)), TFB(poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)), CuPc(copperphthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline), NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), 26DCzPPy(2,6-bis[3-(9H-Carbazol-9-yl)phenyl]pyridine), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), spiro-CBP(2,2',7,7'-Tetrakis(carbazol-9-yl)-9,9'-spiro-biflu), NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine), DCzDCN(3′,5′-di(carbazol-9-yl)-[1,1′-biphenyl]-3,5-dicarbonitrile), BBTC(3,6-bis-biphenyl-4-yl-9-[1,1′,4′,1″]terphenyl-4-yl-9H-carbazole), spiro-2NPB(2,2',7,7'-Tetrakis[N-naphthalenyl(phenyl)-amino]-9), TSBPA(4,4′-(diphenylsilanediyl)bis(N,N-diphenylaniline)), 4CzPBP(2,2′-bis(4-carbazolylphenyl)-1,1′-biphenyl), mCBP(3,3-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl), TPD(4,40-bis[N-(p-tolyl)-N-phenylamino]biphenyl), 3CzPFP(3-(3-(carbazole-9-yl)phenyl)pyrido[3′,2′:4,5]furo[2,3-b]pyridine), mCPSOB(3,5-di(carbazol-9-yl)-1-phenylsulfonylbenzene), UGH-2(1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), BST(4,4"-bis(triphenylsilanyl)-(1,1',4',1")-terphenyl), CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CzAcSF(10-(4-((4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)sulfonyl)phenyl)-9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine), SimCP(3,5-di(N-carbazolyl)tetraphenylsilane), DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]) 및 CDBP(4
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 1 ~ 20nm의 두께인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 위에 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 전자 수송층 위에 양자점 발광층을 형성하는 단계;상기 양자점 발광층 위에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 위에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 정공 주입층을 형성하는 단계; 및상기 정공 주입층 위에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 버퍼층은 정공 수송층의 HOMO 레벨의 절대값보다 높은 HOMO 레벨의 절대값을 가지는 물질을 정공 수송층 위로 진공 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 버퍼층의 HOMO 레벨의 절대값은 상기 정공 수송층의 HOMO 레벨의 절대값보다 0
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제7항에 있어서,상기 정공 수송층은 CBP(4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), PVK(Poly(9-vinylcarbazole)), TFB(poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)), CuPc(copperphthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline), NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), 26DCzPPy(2,6-bis[3-(9H-Carbazol-9-yl)phenyl]pyridine), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), spiro-CBP(2,2',7,7'-Tetrakis(carbazol-9-yl)-9,9'-spiro-biflu), NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine), DCzDCN(3′,5′-di(carbazol-9-yl)-[1,1′-biphenyl]-3,5-dicarbonitrile), BBTC(3,6-bis-biphenyl-4-yl-9-[1,1′,4′,1″]terphenyl-4-yl-9H-carbazole), spiro-2NPB(2,2',7,7'-Tetrakis[N-naphthalenyl(phenyl)-amino]-9), TSBPA(4,4′-(diphenylsilanediyl)bis(N,N-diphenylaniline)), 4CzPBP(2,2′-bis(4-carbazolylphenyl)-1,1′-biphenyl), mCBP(3,3-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl), TPD(4,40-bis[N-(p-tolyl)-N-phenylamino]biphenyl), 3CzPFP(3-(3-(carbazole-9-yl)phenyl)pyrido[3′,2′:4,5]furo[2,3-b]pyridine), mCPSOB(3,5-di(carbazol-9-yl)-1-phenylsulfonylbenzene), UGH-2(1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), BST(4,4"-bis(triphenylsilanyl)-(1,1',4',1")-terphenyl), CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CzAcSF(10-(4-((4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)sulfonyl)phenyl)-9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine), SimCP(3,5-di(N-carbazolyl)tetraphenylsilane), DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]) 및 CDBP(4
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제6항에 있어서,상기 버퍼층은 1 ~ 20nm의 두께인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드의 제조방법
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