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발광 다이오드 제조 방법 및 그를 통해 제조된 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015136926
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 제조 방법 및 그를 통해 제조된 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 성장 기판을 마련하는 단계; 상기 성장 기판 상에 희생 GaN 층을 성장시키는 단계; 상기 희생 GaN 층 상에 적어도 하나의 반도체층, 및 활성층을 포함하는 발광 구조물을 성장하는 단계; 및 상기 희생 GaN 층을 제거하여 상기 발광 구조물과 상기 성장 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/24 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01)
CPC H01L 33/24(2013.01) H01L 33/24(2013.01) H01L 33/24(2013.01)
출원번호/일자 1020130169338 (2013.12.31)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0079253 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160012356;
심사청구여부/일자 Y (2013.12.31)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전헌수 대한민국 서울 관악구
2 김동욱 대한민국 서울 관악구
3 장호준 대한민국 서울 관악구
4 차형래 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-1213484-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2014-0092079-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0891901-09
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0198643-90
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0308453-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0308454-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0589459-02
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.09.25 수리 (Accepted) 7-1-2015-0044484-00
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1058361-04
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.10.30 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2015-1058362-49
14 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2015.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0845141-27
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0845149-92
16 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.01.04 수리 (Accepted) 7-1-2016-0000131-13
17 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0106383-79
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 다이오드 제조 방법으로서,성장 기판 상에 GaN 을 포함하는 희생 GaN 층을 성장시키는 단계;상기 희생 GaN 층 상에 적어도 하나의 반도체층, 및 활성층을 포함하는 발광 구조물을 성장하는 단계;상기 희생 GaN 층을 제거하여 상기 발광 구조물과 상기 성장 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 희생 GaN 층은,서로 상이한 밴드갭을 갖는 층이 복수 적층된 구조를 갖는 발광 다이오드 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 희생 GaN 층은,복수의 층을 포함한 다층 구조를 갖되,상기 복수의 층은,AlGaN 을 포함하는 층, InGaN 을 포함하는 층, 및 GaN 을 포함하는 층 중 적어도 두개가 조합된 구조를 갖는 발광 다이오드
4 4
제1항에 있어서,상기 희생 GaN 층은,서로 상이한 밴드갭을 갖는 층이 복수 적층된 초격자 구조(superlattice)를 갖되,상기 각각의 층의 두께는 0
5 5
제1항에 있어서,상기 희생 GaN 층은, 서로 상이한 밴드갭을 갖는 우물층, 및 장벽층이 교대로 복수 적층된 구조를 갖는 발광 다이오드 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 희생 GaN층의 평균 밴드갭은,인접한 반도체층의 평균 밴드갭보다 작은 발광 다이오드 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 발광 구조물 상에 전극층을 본딩하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 성장 기판은,사파이어를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 발광 다이오드 제조 방법에 따라서 제조된 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101682169 KR 대한민국 FAMILY

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DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 세계수준의 연구중심대학(WCU)육성사업 물리 및 화학 융합기술을 이용한 세포다이나믹스 연구