| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
기판; 및상기 기판 상에 형광체 및 상기 형광체와 상이한 굴절률을 가진 유전체가 상기 기판의 횡방향으로 주기적으로 배열된 광자결정(photonic crystal) 박막구조체;를 포함하는 발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율을 향상시키는 방법으로서,상기 박막구조체의 광밴드구조에서 파수 벡터 k의 횡방향 성분이 0인 감마 포인트 광밴드 에지 모드에 해당되는 파장의 광을 여기 광자로 하여 상기 형광체를 여기시켜 광흡수율 및 광변환 효율을 증가시키는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
| 18 |
18
제 17 항에 있어서,상기 기판은 자외선 및 가시광선 파장 대역에서 투명하며, 쿼츠(quarts), 이산화규소(SiO2) 및 사파이어(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
| 19 |
19
제 17 항에 있어서,상기 형광체는 양자점(quantum dot), 세라믹 소재 형광체 및 유기염료 중 적어도 어느 하나를 포함하는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,상기 양자점은 0차원의 반도체 나노입자로서, 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴셀레나이드/황화아연(CdSe/ZnS), 카드뮴텔루라이드(CdTe) 및 황화카드뮴(CdS) 중 적어도 어느 하나를 포함하는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
| 21 |
21
제 19 항에 있어서,상기 세라믹 소재 형광체는 세륨(Ce)이 도핑된 야그(YAG)를 포함하는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
| 22 |
22
제 19 항에 있어서,상기 유기염료는 로다민(rhodamine) 또는 플루오레신(fluorescein)을 포함하는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
| 23 |
23
제 17 항에 있어서,상기 유전체는 질화물 또는 산화물을 포함하는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서,상기 질화물은 질화규소(Si3N4) 또는 질화갈륨(GaN)을 포함하는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
| 25 |
25
제 23 항에 있어서,상기 산화물은 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2) 및 산화이트륨(Y2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하는,발광소자의 광흡수율 및 광변환 효율 향상 방법
|
