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반도체 나노선을 결합한 마이크로 / 나노 역학 구조의 극미세 역학적 변위측정 방법

  • 기술번호 : KST2014037234
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로/나노 역학 구조의 역학적 측정 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기존의 상용중인 마이크로/나노 역학 구조인 캔틸레버(Cantilever)나 빔 (beam)의 외부 스트레스나 환경변화에 따른 미세 역학적 변위를 측정하기 위하여 반도체 나노선을 결합하여 외부 측정 장비인 레이져나 외부 광원이 필요없이 극미세 역학적 변위를 측정하는 변위측정방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체 나노선을 역학구조에 결합시킴으로써 기존 역학 소자의 미세 변위 측정 시그널 크기 및 분해능의 변동을 최대한 줄임으로써 안정적인 측정 시그널과 분해능을 가질 수 있게 된다. 반도체 나노선의 특이 광학적 특성인 도파관 성질을 이용하게 되면 반도체 나노선의 끝단이 놓여있는 역학 소자의 특정 부분에만 광자가 방출되게 되어 복잡한 광학 정렬이 필요 없이 간단한 절차를 통하여 항상 동일한 분해능과 민감도를 가질 수 있게 된다. 이러한 특성을 이용한 반도체 나노선 역학 구조는 광학적 회절 한계를 뛰어 넘을 수 있으므로 역학적 소자의 크기를 반도체 나노선 크기만큼 줄일 수 있어 기존 시스템의 변위, 힘, 질량 민감도를 크게 향상 시킬 수 있다. 또한 크기가 작아짐에 따라 동역학적 반응이 커지게 역학 반응의 시간 분해능을 더욱 높일 수 있다. 또한 광결정 구조를 반도체 나노선 주위에 위치 시킴으로서 반도체 나노선의 광자 방출의 효율을 극대화 시키며 선택적으로 파장을 선택함으로서 역학소자의 기능성을 다양화시킬 수 있다.
Int. CL G01B 7/16 (2006.01.01) G01B 11/02 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) G01B 7/34 (2006.01.01)
CPC G01B 7/16(2013.01) G01B 7/16(2013.01) G01B 7/16(2013.01) G01B 7/16(2013.01)
출원번호/일자 1020100100002 (2010.10.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1223233-0000 (2013.01.10)
공개번호/일자 10-2012-0038312 (2012.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박윤 대한민국 서울특별시 서초구
2 김영덕 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백상희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***,*층(대치동, 메이플타워)(특허법인테헤란)
2 김형덕 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층(역삼동, 쓰리엠타워)(특허법인메이저)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0662208-76
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0664250-20
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0700927-66
4 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2010.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0096794-15
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2011-0072063-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0314298-62
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0609885-47
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0700416-16
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0700417-62
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0018558-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Chemical Vapor Deposition 방식을 이용하여 CdS powder를 고온에서 가열하여 Si 기판위에 형성된 nano Au catalysis 에 나노선을 성장시키는 단계와, Si 기판위에 수직으로 형성된 나노선을 에탄올에 기판째 담가 초음파로 기판과 나노선을 분리하는 단계와, 에탄올 용액에서 기판을 제거한 후 에탄올-나노선 용액을 마이크로 피펫을 이용하여 형성하고자 하는 역학 구조물에 도포한 후 질소가스로 건조시켜 반데를 발스 힘 (vander walls force)에 의해 나노선과 역학 구조물이 결합되도록 하는 단계와, 반도체 나노선을 valence band electron들이 전이되도록하여 electron-hole recombination시 광자를 방출하도록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선을 결합한 마이크로/나노 역학 구조물의 극미세 역학적 변위측정방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노선은 CdS나 ZnO, ZnS, GaN, GaAs중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 나노선을 결합한 마이크로/나노 역학 구조물의 극미세 역학적 변위측정방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노선을 외부 레이저를 이용하여 전이시켜 반도체 나노선의 특정 파장의 광자를 방출하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선을 결합한 마이크로/나노 역학 구조물의 극미세 역학적 변위측정방법
4 4
제 1항에 있어서, P-N junction을 형성하여 전류에 의해 반도체 나노선을 전이시켜 광자를 방출도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선을 결합한 마이크로/나노 역학 구조물의 극미세 역학적 변위측정방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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