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점착 방지막을 지니는 스탬프의 구조 및 제조방법과 이에의한 나노패턴 전사방법

기술번호 : KST2015140648
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 CNP 공정에 사용되는 스탬프에 별도의 점착 방지막을 형성한 스탬프를 개발하여 스탬프와 기판의 분리를 용이하게 함으로써 전사 패턴에 왜곡이나 결함이 없는 점착 방지막을 지니는 스탬프 및 이에 의한 나노패턴 전사방법을 제공한다.이를 위하여 본 발명에 의한 점착 방지막을 지니는 스탬프는 나노패턴을 형성하기 위한 전사공정에 사용되는 스탬프로서, 나노 크기의 패턴이 형성된 투명 기판과, 상기 기판의 일부 표면에 형성되는 불투명 금속막과, 상기 금속막의 표면에 형성되어 상기 스탬프의 표면 에너지 또는 마찰계수의 적어도 어느 하나 이상을 감소시키는 점착 방지막을 포함한다. 또한, 상기 스탬프는 상기 점착 방지막의 표면에 형성되어 상기 스탬프의 소수성을 증가시키는 자기 조립막을 더 포함할 수 있다.CNP, NIL, 스탬프, 나노패턴, 점착방지막, 자기조립막
Int. CL	H01L 21/027 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC	G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자	1020050061325 (2005.07.07)
출원인	한양대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0665038-0000 (2006.12.28)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20070104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2005.07.07)
심사청구항수	15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박인성	대한민국	서울 서초구
2	이헌	대한민국	서울 노원구
3	신수범	대한민국	경기 이천시
4	문강훈	대한민국	서울 송파구
5	안진호	대한민국	서울 강남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이두희	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *(역삼동) 한신인터밸리 빌딩 서관 ****호(이훈국제특허법률사무소)
2	이훈	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *, 한신인터밸리 서관 **호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울 성동구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2005.07.07	수리 (Accepted)	1-1-2005-0368706-10
2	서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items	2005.07.14	수리 (Accepted)	1-1-2005-5087804-67
3	수수료 등의 반환 안내서 Notification of Return of Official Fee, etc.	2005.07.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2005-0059228-21
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.08.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0476496-53
5	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.10.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0749864-31
6	의견서 Written Opinion	2006.10.18	수리 (Accepted)	1-1-2006-0749861-05
7	등록결정서 Decision to grant	2006.12.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0764673-61
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.11	수리 (Accepted)	4-1-2008-5037763-28
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 나노패턴을 형성하기 위한 전사공정에 사용되는 스템프로서,나노 크기의 패턴이 형성된 투명 기판과; 상기 투명 기판의 일부 표면에 대응하여 형성되는 불투명 금속막과; 상기 불투명 금속막의 표면에 형성되어 표면 에너지 또는 마찰계수의 적어도 어느 하나 이상을 감소시키는 제 1박막층과; 상기 제 1박막층의 표면에 형성되어 소수성을 증가시키는 제 2박막층을 포함하며, 상기 불투명 금속막과 제 1박막층 사이에는 부착강도를 증가시키는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 제 1항에 있어서, 제 1박막층은 2원계 금속 산화막으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프
5	5 제 1항에 있어서, 제 1박막층은 SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, Nb2O5, TiO2, NiO, ZnO, MgO 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프
6	6 제 1항에 있어서, 제 1박막층은 비금속 고체원소로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프
7	7 제 1항에 있어서, 제 2박막층은 heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyl를 포함하는 성분으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프
8	8 제 1항에 있어서, 제 2박막층은 리간드(Y(CH2)nX)를 포함하는 성분으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프
9	9 제 1항에 있어서, 상기 불투명 금속막은 Cr, Ni, Pt, Au, Ag, Ir, Ru, Mo 중에서 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프
10	10 제 1항에 있어서, 상기 기판은 석영(Quartz), 석영유리(Fused Silica), 사파이어, 다이아몬드 중의 적어도 어느 하나로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프
11	11 삭제
12	12 나노패턴을 형성하기 위한 전사공정에 사용되는 스탬프의 제조방법에 있어서,투명 기판을 준비하는 단계와;상기 투명 기판의 표면에 불투명 금속막을 증착하고 상기 투명 기판과 상기 불투명 금속막을 순차적으로 패터닝하는 단계와;상기 불투명 금속막 상에 부착강도를 증가시키는 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층의 표면에 표면 에너지 또는 마찰계수의 적어도 어느 하나 이상을 감소시키는 제 1박막층을 증착하는 단계와;상기 제 1박막층의 표면에 소수성을 증가시키는 제 2박막층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프의 제조방법
13	13 삭제
14	14 제 12항에 있어서, 제 1박막층은 SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, Nb2O5, TiO2, NiO, ZnO, MgO 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프
15	15 삭제
16	16 제 12항에 있어서, 제 1박막층은 5 내지 20nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 스탬프의 제조방법
17	17 스탬프를 사용하여 전사층이 도포된 기판을 압착하여 상기 기판 상에 나노패턴을 형성하는 전사방법에 있어서, 제 1항에 의한 스탬프를 사용하여 전사하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 전사방법
18	18 제 17항에 있어서, 상기 나노패턴 전사방법은상기 기판 상부에 전사층을 형성하는 제 1단계와;상기 스탬프로 상기 전사층을 압착하여 임프린팅하는 제 2단계와;소정의 광원으로 노광하여 노광된 부분의 전사층을 경화시키는 제 3단계와;상기 스탬프와 상기 전사층을 분리하는 제 4단계와;상기 노광된 부분의 전사층을 현상하여 제거하는 제 5단계와;상기 기판을 식각하고 잔존하는 전사층을 제거하는 제 6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노패턴 전사방법
19	19 제 18항에 있어서, 상기 전사층은 네거티브형 포토 레지스트로 되는 것을 특징으로 하는 나노패턴 전사방법
20	20 제 18항 또는 제 19항에 있어서, 상기 나노패턴 전사방법은 제 4단계 및 제 5단계의 사이에 100 내지 150℃에서 20초 내지 3분 동안 베이킹하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 전사방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0665038-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20050707 출원 번호 : 1020050061325 공고 연월일 : 20070104 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061220 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 점착 방지막을 지니는 스탬프의 구조 및 제조방법과 이에의한 나노패턴 전사방법 존속기간(예정)만료일 : 20171229

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	445,500 원	2006년 12월 28일	납입
제 4 년분	금 액	370,000 원	2009년 09월 30일	납입
제 5 년분	금 액	370,000 원	2010년 09월 28일	납입
제 6 년분	금 액	370,000 원	2011년 10월 10일	납입
제 7 년분	금 액	670,000 원	2012년 10월 11일	납입
제 8 년분	금 액	670,000 원	2013년 10월 02일	납입
제 9 년분	금 액	670,000 원	2014년 10월 08일	납입
제 10 년분	금 액	1,065,000 원	2015년 10월 12일	납입
제 11 년분	금 액	1,065,000 원	2016년 10월 04일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2005.07.07	수리 (Accepted)	1-1-2005-0368706-10
2	서지사항보정서	2005.07.14	수리 (Accepted)	1-1-2005-5087804-67
3	수수료 등의 반환 안내서	2005.07.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2005-0059228-21
4	의견제출통지서	2006.08.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0476496-53
5	명세서등보정서	2006.10.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0749864-31
6	의견서	2006.10.18	수리 (Accepted)	1-1-2006-0749861-05
7	등록결정서	2006.12.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0764673-61
8	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.11	수리 (Accepted)	4-1-2008-5037763-28
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
10	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09

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