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극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법 및 세정 장치

  • 기술번호 : KST2015141192
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마스크의 재료 손실과 표면 손상을 최소화하면서 오염 물질을 제거할 수 있는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법 및 세정 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법은, 극자외선 리소그래피 장치의 노광 챔버와 연결되는 세정 챔버 및 세정 챔버에 설치되는 레이저 모듈을 포함하는 세정 장치를 이용하며, 세정 챔버의 내부에 공정 가스를 공급하는 단계와, 노광 챔버로부터 오염 물질이 부착된 마스크를 세정 챔버로 이송하는 단계와, 레이저 모듈을 구동하여 마스크와 일정 거리 떨어진 위치에 레이저 초점을 형성하고, 레이저 초점에 의해 형성된 레이저 유기 플라즈마 충격파를 이용하여 마스크의 표면에 부착된 오염 물질을 제거하는 단계를 포함한다. 극자외선, 리소그래피, 마스크, 공정가스, 노광챔버, 이송챔버, 세정챔버
Int. CL H01L 21/304 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 1/82(2013.01) G03F 1/82(2013.01)
출원번호/일자 1020080050846 (2008.05.30)
출원인 한양대학교 산학협력단, 주식회사 아이엠티
등록번호/일자 10-0989071-0000 (2010.10.14)
공개번호/일자 10-2009-0124558 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 등록원부생성(갱신)
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.30)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 아이엠티 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태곤 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 박진구 대한민국 경기 안산시 상록구
3 최재성 대한민국 서울특별시 송파구
4 김진수 대한민국 서울특별시 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아이엠티 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0389662-40
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0070344-37
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0396798-15
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0039957-37
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0442279-25
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0761923-23
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0761914-12
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0159836-10
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0251987-85
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0251995-40
12 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0451300-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5008843-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-0059360-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5094909-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5094911-67
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5105251-90
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2015-5043643-86
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
극자외선 리소그래피 장치의 노광 챔버와 연결되는 세정 챔버, 상기 노광 챔버와 상기 세정 챔버 사이에 위치한 이송 챔버, 및 상기 세정 챔버에 설치되는 레이저 모듈을 포함하는 세정 장치를 이용한 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법에 있어서, 이송 챔버의 내부를 진공으로 배기시켜 노광 챔버로부터 상기 이송 챔버로 이송받은 마스크를 진공 상태로 대기시키는 단계; 상기 세정 챔버의 내부에 공정 가스를 공급하는 단계; 상기 노광 챔버로부터 오염 물질이 부착된 마스크를 이송 챔버를 거쳐 세정 챔버로 이송하는 단계; 및 상기 레이저 모듈을 구동하여 상기 마스크와 일정 거리 떨어진 위치에 레이저 초점을 형성하고, 레이저 초점에 의해 형성된 레이저 유기 플라즈마 충격파를 이용하여 상기 마스크의 표면에 부착된 오염 물질을 제거하는 단계 를 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 세정 챔버로 마스크를 이송한 후 상기 세정 챔버의 압력을 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 세정 챔버로 마스크를 이송한 후 상기 세정 챔버의 습도를 40% 이하로 조절하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 마스크를 진공으로 대기시킨 후, 상기 마스크가 이송 챔버에 위치할 때, 상기 이송 챔버의 내부와 세정 챔버의 내부에 공정 가스를 공급하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 이송 챔버에 공정 가스를 공급할 때, 상기 이송 챔버의 압력이 세정 챔버의 압력 이상이 되도록 하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 이송 챔버에 대기중인 마스크를 세정 챔버로 이송할 때, 상기 이송 챔버로부터 상기 세정 챔버를 향하는 방향으로 상기 이송 챔버 내부에 공정 가스를 공급하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 레이저 초점을 형성할 때, 마스크의 표면과 평행한 방향으로 레이저 빔을 조사하며, 상기 마스크의 표면으로부터 2 내지 10mm 떨어진 위치에 상기 레이저 초점을 형성하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 마스크의 표면에 부착된 오염 물질을 제거한 이후, 세정 챔버의 내부를 오염물이 없는 공정 가스로 재충전하고, 세정이 완료된 마스크를 상기 세정 챔버의 외부로 반출하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 마스크의 표면에 부착된 오염 물질을 제거한 이후, 세정이 완료된 마스크를 이송 챔버를 거쳐 상기 노광 챔버로 이송하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 마스크를 노광 챔버로 이송하기 전, 이송 챔버의 내부를 배기시켜 진공화하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법
12 12
극자외선 리소그래피 장치의 노광 챔버와 연결되어 상기 노광 챔버로부터 오염 물질이 부착된 마스크를 이송받는 세정 챔버; 상기 노광 챔버와 상기 세정 챔버 사이에 위치하는 이송 챔버; 상기 이송 챔버에 설치되어 상기 이송 챔버의 내부를 진공화하는 진공 제어부; 상기 세정 챔버에 설치되며, 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발진기와, 상기 레이저 빔의 경로와 초점을 제어하는 광학계를 구비하여 상기 세정 챔버 내부에서 상기 마스크를 향해 레이저 유기 플라즈마 충격파를 발생시키는 레이저 모듈을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 장치
13 13
삭제
14 14
제12항에 있어서, 상기 이송 챔버와 세정 챔버에 각각 설치되어 상기 이송 챔버의 내부와 상기 세정 챔버의 내부에 공정 가스를 주입하는 공정 가스 공급부를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 장치
15 15
제14항에 있어서, 상기 공정 가스 공급부가 공정 가스의 습도를 조절하는 건조 장치와, 공정 가스에 포함된 오염 입자를 제거하는 입자 필터를 구비하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 장치
16 16
제12항에 있어서, 상기 광학계가 마스크의 표면과 평행한 방향으로 레이저 빔을 조사하며, 상기 마스크의 표면으로부터 2 내지 10mm 떨어진 지점에 상기 레이저 빔의 초점을 형성하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 장치
17 17
제12항에 있어서, 상기 세정 챔버의 내부에 설치되어 잔여 레이저 빔을 흡수하는 흡수 부재를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 장치
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1 산업자원부 (주)아이엠티 성장동력, 중기거점/차세대신기술개발사업 EUV 마스크 세정 기술 개발