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챔버 내의 서셉터(susceptor) 상에, 베이스 기판 및 루프링을 준비하되, 상기 루프링의 내경은 상기 베이스 기판의 직경보다 크며, 상기 루프링이 상기 베이스 기판을 둘러싸도록 배치되는 단계; 소스 가스를 공급하여, 상기 베이스 기판 상에 물질막을 형성하되, 상기 루프링에 의해 상기 베이스 기판의 가장자리 부분 상의 상기 물질막의 증착률을 감소시키는 단계; 상기 물질막으로부터 상기 베이스 기판을 제거하는 단계; 및상기 베이스 기판이 제거된 후, 상기 물질막을 복수의 박막 기판으로 분리시키는 단계를 포함하는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 소스 가스는 상기 루프링의 상부면에 제공되어, 상기 루프링의 상부면 상에 더미막(dummy layer)이 형성되는 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 베이스 기판 상의 상기 물질막의 두께는 상기 루프링 상의 상기 더미막의 두께보다 얇은 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 소스 가스는 갈륨(Ga)을 포함하는 기판의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 물질막은 질화 갈륨(GaN)을 포함하는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 루프링의 두께는, 적어도 상기 베이스 기판의 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 서셉터 상에 상기 베이스 기판을 배치한 후, 상기 루프링이 배치되는 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 서셉터 상에 상기 루프링이 배치된 후, 상기 베이스 기판이 배치되는 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 루프링의 하부면은 상기 베이스 기판의 하부면과 동일한 레벨에 위치하는 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 물질막은 단결정인 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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챔버 내의 서셉터 상에 베이스 기판을 배치하는 단계;제1 소스 가스를 공급하여, 상기 베이스 기판 상에 제1 물질막을 형성하는 단계;상기 서셉터 상에, 상기 베이스 기판의 직경보다 큰 내경을 갖는 루프링을 상기 베이스 기판을 둘러싸도록 배치하는 단계; 제2 소스 가스를 공급하여, 상기 제1 물질막 상에 제2 물질막을 형성하되, 상기 루프링에 의해 상기 제1 물질막의 가장자리 상의 상기 제2 물질막의 증착률을 감소시키는 단계; 및상기 제1 및 제2 물질막들로부터 상기 베이스 기판을 제거하는 단계; 및상기 베이스 기판이 제거된 후, 상기 제1 및 제2 물질막들을 복수의 박막 기판으로 분리시키는 단계를 포함하는 기판의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 제1 소스 가스 및 제2 소스 가스는 서로 동일한 소스 가스이고, 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막은 동일한 물질인 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 제1 물질막의 두께는 적어도 상기 제2 물질막의 두께보다 얇은 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 제2 소스 가스는 상기 루프링의 상부면에 제공되어, 상기 루프링의 상부면 상에 더미막(dummy layer)이 형성되는 것을 포함하는 기판의 제조 방법
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