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수소화물 기상증착법(HVPE)을 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018011642
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수소화물 기상증착법(HVPE)을 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 질화갈륨 기판의 제조 방법은 사파이어 기판 상에 암모니아(NH3) 가스를 주입하는 제1 표면 처리 단계; 상기 사파이어 기판 상에 상기 암모니아 가스 및 염화 수소(HCl) 가스를 주입하여 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 사파이어 기판 상에 상기 암모니아 가스를 주입하는 제2 표면 처리 단계; 및 상기 사파이어 기판 상에 암모니아:염화 수소 가스의 유량 비를 단계별로 감소시키면서 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 21/20 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01)
출원번호/일자 1020170020734 (2017.02.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0094437 (2018.08.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 심재형 대한민국 서울특별시 서초구
3 심태헌 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0158418-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0054811-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0300515-21
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0649588-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0672104-03
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0672074-10
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0724639-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판 상에 암모니아 가스를 주입하는 제1 표면 처리 단계;상기 사파이어 기판 상에 상기 암모니아:염화 수소 가스의 유량 비(NH3:HCl) (x:1)를 11 내지 13 범위로 주입하여 버퍼층을 형성하는 단계;상기 사파이어 기판 상에 상기 암모니아 가스를 주입하는 제2 표면 처리 단계; 및상기 사파이어 기판 상에 암모니아:염화 수소 가스의 유량 비(NH3:HCl) (x:1)를 단계별로 감소시키면서 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 단계는,피트 질화갈륨층을 성장시키는 단계 및 미러 질화갈륨층을 성장시키는 단계를 포함하며,상기 피트 질화갈륨층을 성장시키는 단계는 암모니아:염화 수소 가스의 유량 비(NH3:HCl) (x:1)가 10
2 2
제1항에 있어서, 상기 사파이어 기판 상에 암모니아:염화 수소 가스의 유량 비를 단계별로 감소시키면서 질화갈륨을 성장시키는 상기 단계는,상기 암모니아 가스의 유량은 시간에 따라 단계별로 감소되고, 염화 수소 가스의 유량은 시간에 따라 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 사파이어 기판 상에 암모니아:염화 수소 가스의 유량 비를 단계별로 감소시키면서 질화갈륨을 성장시키는 상기 단계는,상기 암모니아:염화 수소 가스의 유량 비에 의해 질화갈륨 기판의 휨(bow)이 제어되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 피트 질화갈륨층은 50㎛ 내지 200㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 미러 질화갈륨층은 50㎛ 내지 200㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 버퍼층은 질화 알루미늄(AlN)인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.