| [KST2014041928][한양대학교] |
자성 메모리의 동작방법 |
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| [KST2015141524][한양대학교] |
난수 발생기 및 이의 제조방법 |
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| [KST2015141751][한양대학교] |
스핀 전달 토크 자기터널접합 소자, 그 동작 방법 및 그를 채용하는 자기저항 메모리 소자 |
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| [KST2015142299][한양대학교] |
전류 조절이 가능한 자기 저항 메모리 장치 및 이의 구동 방법 |
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| [KST2015228717][한양대학교] |
자기터널접합 소자 및 그 제조방법(Magnetic tunnel junction device and method of manufacturing the same) |
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| [KST2016017116][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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| [KST2014042554][한양대학교] |
다치화 구조를 갖는 ＳＴＴ-ＭＲＡＭ 메모리 소자와 그 구동방법 |
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| [KST2014059919][한양대학교] |
고속 감지 증폭기 및 고속 감지 증폭기의 동작 방법 |
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| [KST2015142395][한양대학교] |
수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 자성소자 |
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| [KST2015142452][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 |
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| [KST2015142512][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 |
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| [KST2016005935][한양대학교] |
TDDB를 방지하는 MTJ 셀 및 그 제작 방법(MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL FOR PREVENTING TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) |
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| [KST2015142173][한양대학교] |
메모리 소자 |
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| [KST2015142596][한양대학교] |
강자성 다층박막 및 이를 포함하는 MTJ 구조 |
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| [KST2016005924][한양대학교] |
보호막을 갖는 MTJ 셀 및 그 제작 방법(MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL INCLUDING PROTECTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) |
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| [KST2016017118][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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| [KST2014059918][한양대학교] |
메모리의 감지 증폭회로 |
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| [KST2014040720][한양대학교] |
2 단자 마그네틱 메모리 셀과 스핀 ＦＥＴ를 이용한 메모리 소자 |
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| [KST2015141132][한양대학교] |
이중 터널 접합 구조를 이용한 자기 메모리 소자 및 자기 메모리 소자의 정보 기록방법과 정보 판독방법 |
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| [KST2015141231][한양대학교] |
양방향 스위칭 동작을 수행하는 마그네틱 메모리 |
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| [KST2015225739][한양대학교] |
저전력으로 쓰기 동작이 가능한 자기 저항 메모리 장치 및 이에 있어서 쓰기 동작 제어 방법(MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY FOR PERFORMING WRITE OPERATION WITH LOW POWER AND METHOD OF CONTROLLING THE WRITE OPERATION) |
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| [KST2017005509][한양대학교] |
자기 저항 메모리에서 셀프 레퍼런스 조정을 이용한 스위칭 감지 방법 및 장치(SELF-REFERENCE-ADJUSTED SWITCHING DETECTING METHOD AND APPARATUS IN SPIN-TRANSFER TORQUE MAGNETIC RANDOOM ACCESS MEMORY) |
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| [KST2016015296][한양대학교] |
개선된 터널 배리어 구조를 갖는 MTJ 셀 및 그 제작 방법(MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL HAVING IMPROVED TUNNEL BARRIER STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) |
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| [KST2017010822][한양대학교] |
MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법 및 시스템(TEST METHOD AND SYSTEM TO SCREEN THE CELL WITH A DEFECT IN MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY) |
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| [KST2017000394][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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| [KST2014059718][한양대학교] |
마그네틱 도메인의 이동을 이용하는 마그네틱 메모리 및 동작방법 |
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| [KST2015141961][한양대학교] |
메모리 소자 |
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| [KST2015142288][한양대학교] |
다치화 저항이 구현된 STT-MRAM 소자 |
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| [KST2015142327][한양대학교] |
메모리 소자 |
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| [KST2016005922][한양대학교] |
자기터널접합을 위한 구조 및 그를 포함하는 자기터널접합과 자기 메모리(STRUCTURE FOR MAGNETIC TUNNELING JUNCTION AND MAGNETIC TUNNELING JUNCTION AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING THEM) |
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