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메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015142173
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 하부 전극 및 시드층은 다결정의 도전 물질로 형성되며, 400℃ 이상의 열처리 온도에서도 자기 터널 접합의 수직 자기 이방성이 유지되는 메모리 소자를 제시한다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020140102420 (2014.08.08)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1583783-0000 (2016.01.04)
공개번호/일자 10-2015-0121637 (2015.10.29) 문서열기
공고번호/일자 (20160113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140046563   |   2014.04.18
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이두영 대한민국 서울특별시 성동구
3 이승은 대한민국 서울특별시 동작구
4 전민수 대한민국 경기 성남시 분당구
5 백종웅 대한민국 경기도 성남시 중원구
6 심태헌 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0752763-76
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0939140-27
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2014-0084456-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0876785-91
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0162448-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0242745-15
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0242744-70
10 보정요구서
Request for Amendment		 2015.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0338909-26
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.20 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0700843-13
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0700844-58
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0708461-51
14 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0120680-12
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0137138-74
16 등록결정서
Decision to grant		 2015.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0684389-55
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고,상기 캐핑층은 텅스텐으로 형성되며,상기 합성 교환 반자성층은 Pt를 포함하는 물질로 형성된 메모리 소자
2 2
기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고,상기 캐핑층은 400℃ 이상의 온도에서 결정화되는 다결정의 도전 물질로 형성되며,상기 합성 교환 반자성층은 Pt를 포함하는 물질로 형성된 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 캐핑층은 0
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 하부 전극 및 시드층의 적어도 어느 하나는 400℃ 이상의 온도에서 결정화되는 물질로 형성된 메모리 소자
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 하부 전극 및 시드층의 적어도 어느 하나는 텅스텐으로 형성된 메모리 소자
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 자기 터널 접합은 400℃ 이상의 열처리 후의 자화 변화의 스퀘어니스가 0
8 8
기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고,상기 시드층 및 캐핑층의 적어도 어느 하나는 400℃ 이상의 온도에서 결정화되는 다결정의 도전 물질로 형성되며,상기 합성 교환 반자성층은 Pt를 포함하는 물질로 형성된 메모리 소자
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 다결정의 도전 물질은 텅스텐을 포함하는 메모리 소자
10 10
기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극을 적층 형성하고,상기 하부 전극, 시드층 및 캐핑층의 적어도 어느 하나는 다결정의 도전 물질로 형성하며,상기 합성 교환 반자성층은 Pt를 포함하는 물질로 형성하고,상기 상부 전극을 형성한 후 400℃ 내지 500℃의 열처리를 실시하는 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101537715 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101549625 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101661275 KR 대한민국 FAMILY
4 WO2015160092 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2015160092 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2015160093 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2015160093 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2015160094 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
9 WO2015160094 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
10 WO2016148391 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2015160094 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2015160094 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.