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그래핀 전극과 유기물/무기물 복합소재를 사용한 전자 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015142546
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 입자가 포함된 고분자 박막을 형성하고 그래핀을 전극으로 활용하여 소자의 성능을 향상시킨 전자 소자 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 전자 소자는 나노 입자가 포함된 고분자 박막과, 기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 제작한 시트 형상의 그래핀 박막을 상기 고분자 박막 상에 부착시켜 형성한 전극을 포함한다. 본 발명에 따른 전자 소자 제조 방법에서는 기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 시트 형상의 그래핀 박막을 제작하고, 나노 입자가 분산된 고분자 용액을 준비한다. 소자용 기판 위에 이 나노 입자가 분산되어 있는 고분자 용액을 스핀 코팅하고 건조시켜 나노 입자가 포함된 고분자 박막을 형성한다. 그리고 나서 고분자 박막 상에 시트 형상의 그래핀 박막을 부착하여 전극을 형성한다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090078052 (2009.08.24)
출원인 한양대학교 산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-1119916-0000 (2012.02.17)
공개번호/일자 10-2011-0020442 (2011.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.24)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 정재훈 대한민국 서울 광진구
3 손동익 대한민국 서울 마포구
4 이정민 대한민국 서울특별시 성북구
5 양희연 대한민국 서울특별시 서초구
6 박원일 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0515543-28
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2010.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0528942-50
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0528964-54
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023134-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0157561-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0379166-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0379164-28
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0693073-06
10 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2012.02.17 수리 (Accepted) 2-1-2012-0086623-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 입자가 포함된 고분자 박막; 및기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 제작한 시트 형상의 그래핀 박막을 상기 고분자 박막 상에 부착시켜 형성한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
2 2
기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 시트 형상의 그래핀 박막을 제작하는 단계;나노 입자가 분산된 고분자 용액을 준비하는 단계;소자용 기판 위에 상기 나노 입자가 분산되어 있는 고분자 용액을 스핀 코팅하는 단계;상기 스핀 코팅된 고분자 용액을 건조시켜 나노 입자가 포함된 고분자 박막을 형성하는 단계; 및상기 고분자 박막 상에 상기 그래핀 박막을 부착하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 그래핀 박막을 제작하는 단계는,SiO2 기판 위에 그래핀을 증착하는 단계; 및상기 SiO2 기판과 그래핀을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 SiO2 기판 위에 그래핀을 증착하는 단계는 Ni이 증착된 SiO2 기판 상에 CH4 가스와 수소-아르곤 혼합 가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 SiO2 기판과 그래핀을 분리하는 단계는, 그래핀이 증착된 SiO2 기판을 HF 용액과 Ni 식각액에 순차적으로 넣어 SiO2 및 Ni을 식각하여 그래핀을 박막 형태로 추출하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 나노 입자가 분산된 고분자 용액을 준비하는 단계는,DMF(N,N-Dimethylformamide)에 금속 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate)를 용해시켜 혼합 용액을 형성하는 단계;상기 혼합 용액을 가열한 후, 가열 온도를 단계적으로 낮추어 나노 입자를 형성하는 단계; 및상기 나노 입자가 형성된 혼합 용액에 고분자 물질을 혼합하여 고분자 용액을 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
7 7
청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
8 8
제2항에 있어서, 상기 소자용 기판은 유리 기판이고 상기 전극에 대향하는 하부 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)이며 상기 나노 입자는 ZnO, 상기 고분자 박막은 PVK인 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
9 9
제2항에 있어서, 상기 그래핀 박막을 제작하는 단계는,그래파이트화 금속막이 형성된 기판을 챔버 내에 장입하는 단계;상기 챔버 내에서 상기 그래파이트화 금속막 및 기판 중 적어도 어느 하나에 전류를 흘려 그 때의 전열 효과에 의해 상기 그래파이트화 금속막을 가열하는 단계;상기 그래파이트화 금속막이 가열되는 상태에서 상기 챔버 내에 기상 탄소 공급원을 공급하여 상기 그래파이트화 금속막 안에 탄소 성분을 고용시키는 단계; 상기 전류의 양을 조절하여 상기 그래파이트화 금속막을 제어된 속도로 냉각시킴으로써 상기 탄소 성분으로부터 상기 그래파이트화 금속막 표면에 그래핀을 석출시키는 단계; 및산처리에 의해 상기 그래파이트화 금속막을 제거함으로써, 석출된 그래핀을 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원은 CH4 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원과 함께 수소를 더 공급하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
12 12
청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
13 13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08641915 US 미국 FAMILY
2 US20110041980 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011041980 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8641915 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 과학기술부(한국과학재단) 기초과학연구사업(우수연구리더육성) 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구