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제1 기판 위에 원하는 패턴을 가지는 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 이방성 고분자층을 적층하는 단계,제2 기판 위에 제2 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 서로 대향하도록 정렬하는 단계, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압을 인가하여, 상기 이방성 고분자층에 전기장을 인가하는 단계, 그리고상기 이방성 고분자층을 경화하는 단계를 포함하며,상기 제1 기판 위에 원하는 패턴을 가지는 상기 제1 전극을 형성하기 전에,상기 제1 기판 위에 서브 전극층을 형성하는 단계,상기 서브 전극층 위에 절연막을 형성하는 단계, 그리고상기 절연막에 상기 서브 전극층을 드러내는 접촉 구멍을 형성하는 단계를 더 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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제1항에서,상기 이방성 고분자층은 광중합성 모노머 또는 올리고머를 중합한 고분자를 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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제1항에서,상기 이방성 고분자층을 액정 고분자(LCP)를 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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삭제
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삭제
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제1항에서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는상기 접촉 구멍을 통해 상기 제1 전극과 상기 서브 전극층을 서로 연결하는 단계를 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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제6항에서,상기 제1 전극에 전압을 인가하는 단계는상기 서브 전극층에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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8
제1항에서,상기 제1 전극은 원형의 평면 형태를 가지는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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제1항에서,상기 제1 전극 위에 제1 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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제9항에서,상기 제1 배향막을 형성하는 단계는상기 제1 배향막을 일정한 방향으로 러빙하는 단계를 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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제9항에서,상기 제2 전극 위에 제2 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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제11항에서,상기 제2 배향막을 형성하는 단계는상기 제2 배향막을 일정한 방향으로 배향하는 단계를 포함하는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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제9항에서,상기 제1 전극은 복수의 원형의 평면 형태를 가지는 이방성 고분자 패턴 형성 방법
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