맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

개선된 이온빔 소오스 및 이온빔 추출방법

  • 기술번호 : KST2015142839
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 상기 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 상기 플라즈마 발생챔버에 단속적으로 고주파의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스를 제공한다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32422(2013.01) H01J 37/32422(2013.01)
출원번호/일자 1020040101683 (2004.12.06)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0735668-0000 (2007.06.28)
공개번호/일자 10-2006-0062741 (2006.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.06)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 이도행 대한민국 경기 수원시 장안구
3 박병재 대한민국 충남 계룡시 남선면 남선리 *** 군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0572843-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0024638-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0290827-66
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0516207-67
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0596226-88
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0687774-98
8 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2006.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0126089-66
9 의견서
Written Opinion		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0764670-88
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0764679-98
11 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0784192-23
12 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0791390-21
13 반려이유통지에 대한 소명서
Written Substantiation for Notice of Reason for Return		 2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0791201-11
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0136250-99
15 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0216954-20
16 의견서
Written Opinion		 2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0216952-39
17 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0341361-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고주파의 고전압이 단속적으로 인가되어 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버;상기 플라즈마 발생챔버로부터 발생되는 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 상부 및 하부 그리드로 이루어져 상기 상부 및 하부그리드에 주파수 전압이 180도 위상차를 가지며 인가되는 그리드 어셈블리;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생챔버에 고주파 전압이 인가될 때, 상기 그리드 어셈블리의 상부그리드에 양전압이 인가되고, 하부 그리드에 음전압이 인가되며, 상기 플라즈마 발생챔버에 고주파 전압이 인가되지 않을 때, 상기 그리드 어셈블리의 상부그리드에 음전압이 인가되고, 하부그리드에 양전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스
4 4
제1항에 있어서, 상기 그리드 어셈블리로부터의 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 더 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스
5 5
제1항에 있어서, 상기 그리드 어셈블리의 상부 및 하부 그리드 사이에 절연층이 개재되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스
6 6
제5항에 있어서, 상기 절연층은 유전상수가 2 내지 50의 범위에 속하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스
7 7
제1항에 있어서, 그리드 어셈블리는 3개의 그리드로 이루어지고, 그리드 사이에 절연층이 개재되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스
8 8
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생챔버에 대한 단속적인 고주파 전압 인가는 대략 KHz 대역의 주파수로 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스
9 9
제1항에 있어서, 상기 상부 및 하부 그리드에 인가되는 소정 주파수의 전압은 대략 KHz 대역의 주파수로 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스
10 10
주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 상기 플라즈마 발생챔버로부터 발생되는 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀을 형성하며 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 상부 및 하부 그리드로 이루어진 그리드 어셈블리로 구성된 이온빔 소오스를 이용한 이온빔 소오스 추출방법에 있어서,상기 플라즈마 발생챔버에 고주파 전압이 인가될 때, 상기 그리드 어셈블리의 상기 상부그리드에 양전압이 인가되고, 상기 하부 그리드에 음전압이 인가되며,상기 플라즈마 발생챔버에 고주파 전압이 인가되지 않을 때, 상기 그리드 어셈블리의 상기 상부 그리드에 음전압이 인가되고, 상기 하부 그리드에 양전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스 추출방법
11 10
주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 상기 플라즈마 발생챔버로부터 발생되는 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀을 형성하며 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 상부 및 하부 그리드로 이루어진 그리드 어셈블리로 구성된 이온빔 소오스를 이용한 이온빔 소오스 추출방법에 있어서,상기 플라즈마 발생챔버에 고주파 전압이 인가될 때, 상기 그리드 어셈블리의 상기 상부그리드에 양전압이 인가되고, 상기 하부 그리드에 음전압이 인가되며,상기 플라즈마 발생챔버에 고주파 전압이 인가되지 않을 때, 상기 그리드 어셈블리의 상기 상부 그리드에 음전압이 인가되고, 상기 하부 그리드에 양전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스 추출방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.